意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体(鲁塞)公司P·波伊文获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体(鲁塞)公司申请的专利相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114430006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111265534.3，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权相变存储器是由P·波伊文;R·西莫拉;Y·穆斯塔法-拉保尔特设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及相变存储器。本说明书涉及包括相变存储器单元的器件，每个存储器单元包括与由相变材料制成的第二元件横向接触的第一电阻元件。
本发明授权相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种器件，包括： 相变存储器单元，所述相变存储器单元的每个存储器单元包括： 导电材料的第一元件，所述第一元件具有第一表面，所述第一表面与第二表面相对，所述第一表面接触相变材料的第二元件；以及 第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖并且直接接触所述第一元件和所述第二元件，所述第一元件的所述第二表面从所述第一绝缘层暴露，所述第一绝缘层是连续的层， 其中所述第一元件是平面的水平层，并且所述第二元件的部分位于所述第一元件的级之上并且所述第二元件的部分位于所述第一元件的所述级之下。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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