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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111538754.9，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体结构及其形成方法是由杜怡行;顾林;王壮壮;王虎设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述存储区内形成若干第一有源区和相邻第一有源区之间的第一沟槽，在所述外围区内形成若干第二有源区和相邻第二有源区之间的第二沟槽，以所述浮栅材料层形成浮栅，所述外围区上相邻所述浮栅之间具有第三沟槽，所述第三沟槽底部暴露出部分所述第二有源区顶部表面；对所述第一沟槽暴露出所述第一有源区表面、所述第二沟槽和所述第三沟槽暴露出的所述第二有源区表面进行氧化处理，形成内衬层，所述第一有源区的侧壁和顶部之间具有第一顶角，所述第二有源区的侧壁和顶部之间具有第二顶角，所述第二顶角的曲率大于所述第一顶角的曲率，以形成存储区和外围区不同顶角圆度的有源区。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区； 在所述衬底上形成隧穿氧化材料层； 在所述隧穿氧化材料层上形成浮栅材料层； 去除部分所述浮栅材料层、部分隧穿氧化材料层和部分所述衬底，在所述存储区内形成若干第一有源区和相邻第一有源区之间的第一沟槽，在所述外围区内形成若干第二有源区和相邻第二有源区之间的第二沟槽，以所述浮栅材料层形成浮栅，以所述隧穿氧化材料层形成隧穿氧化层，所述外围区上相邻所述浮栅之间以及相邻所述隧穿氧化层之间具有第三沟槽，所述第三沟槽与所述第二沟槽连通，所述第三沟槽底部暴露出部分所述第二有源区顶部表面，其中，所述第三沟槽、所述第二沟槽和所述第二有源区通过同一工艺刻蚀所述浮栅材料层和所述外围区形成，所述刻蚀所述浮栅材料层和所述外围区的工艺包括第一干法刻蚀工艺，所述第一干法刻蚀工艺中所述浮栅材料层相对于所述衬底容易被刻蚀； 对所述第一沟槽暴露出所述第一有源区表面、所述第二沟槽和所述第三沟槽暴露出的所述第二有源区表面进行氧化处理，形成内衬层，所述第一有源区的侧壁和顶部之间具有第一顶角，所述第二有源区的侧壁和顶部之间具有第二顶角，所述第二顶角的曲率大于所述第一顶角的曲率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。