株式会社村田制作所后藤聪获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利半导体装置以及半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111552529.0，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权半导体装置以及半导体模块是由后藤聪;青池将之;深泽美纪子设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及半导体模块在说明书摘要公布了：本发明提供能够采用层叠结构并且能够抑制高频干扰的半导体装置。在第一部件形成包括半导体元件的第一电子电路。在第一部件的第一面的一部分区域接合第二部件。第二部件包括第二电子电路，该第二电子电路包括由与第一电子电路的半导体元件不同的半导体材料构成的半导体元件。层间绝缘膜覆盖第一部件的第一面中的不与第二部件接合的区域、以及第二部件。配置在层间绝缘膜之上的部件间连接布线通过设置于层间绝缘膜的开口将第一电子电路与第二电子电路连接。包括配置在层间绝缘膜之上的第一金属图案的屏蔽结构在高频率方面屏蔽作为第一电子电路的一部分的被屏蔽电路。
本发明授权半导体装置以及半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一部件，形成包括半导体元件的第一电子电路； 第二部件，与作为上述第一部件的一个表面的第一面的一部分区域接合，并且形成第二电子电路，上述第二电子电路包括由与上述第一电子电路的半导体元件不同的半导体材料构成的半导体元件； 层间绝缘膜，覆盖上述第一面中的不与上述第二部件接合的区域、以及上述第二部件； 部件间连接布线，配置于上述层间绝缘膜之上，通过设置于上述层间绝缘膜的开口将上述第一电子电路与上述第二电子电路连接；以及 屏蔽结构，包括配置在上述层间绝缘膜之上的第一金属图案，并且在高频率方面屏蔽作为上述第一电子电路的一部分的被屏蔽电路。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社村田制作所，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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