台湾积体电路制造股份有限公司宋巍巍获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件以及操作硅环形调制器的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114935836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210183928.2,技术领域涉及:G02F1/025;该发明授权半导体器件以及操作硅环形调制器的方法是由宋巍巍;斯帝芬·鲁苏;陈建宏;林志昌设计研发完成,并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及操作硅环形调制器的方法在说明书摘要公布了:本发明的实施例提供了一种半导体器件以及操作硅环形调制器的方法。半导体器件包括:第一总线波导;第一硅环,光耦合到第一总线波导;备用硅环,光耦合到第一总线波导;第一加热器和第二加热器,被配置为分别加热第一硅环和备用硅环;第一开关,其中第一开关被配置为当第一开关处于第一开关位置时将第一硅环电耦合到第一射频RF电路,并且被配置为当第一开关处于第二开关位置时将备用硅环电耦合到第一RF电路。
本发明授权半导体器件以及操作硅环形调制器的方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,包括: 第一硅环调制器,其中,所述第一硅环调制器包括: 第一总线波导,被配置为传输具有第一波长的第一光信号; 第一硅环,光耦合到所述第一总线波导; 第二硅环,光耦合到所述第一总线波导; 第一加热器,被配置为加热所述第一硅环; 第二加热器,被配置为加热所述第二硅环;和 第一开关,具有第一开关位置和第二开关位置,其中,所述第一开关被配置为: 在所述第一开关位置处,将所述第一硅环电耦合至第一射频电路,其中,所述第一硅环被配置为当所述第一开关处于所述第一开关位置时,用来自所述第一射频电路的射频信号调制具有所述第一波长的所述第一光信号;和 在所述第二开关位置处,将所述第二硅环电耦合至所述第一射频电路,其中,所述第二硅环被配置为当所述第一开关处于所述第二开关位置时,用来自所述第一射频电路的射频信号调制具有所述第一波长的所述第一光信号。
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