江西兆驰半导体有限公司贾钊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210199467.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片是由贾钊;窦志珍;兰晓雯;杨琦;胡加辉;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片，外延结构包括衬底、外延生长于衬底上的N型覆盖层、以及外延生长于N型覆盖层上的多量子阱层，多量子阱层包括多对交替生长的量子阱层和量子垒层；其中，N型覆盖层的Si掺浓度大于3e17，并且量子阱层和量子垒层的对数随N型覆盖层的Si掺浓度的增加而增加。此外，本发明通过增加N型覆盖层的Si掺浓度，提高了N层载流子浓度，这样在同等条件下，载流子迁移机率增加，使得外延PN结复合效率上升。此外，随着N型覆盖层的掺杂浓度的增加，还让多量子阱层同步增加垒和阱的对数，提高了载流子溢流的极限，使得光强饱和值上升，从而使同制程下芯片可得到的亮度更高。
本发明授权一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种外延结构，其特征在于，包括衬底、外延生长于所述衬底上的N型覆盖层、以及外延生长于所述N型覆盖层上的多量子阱层，所述多量子阱层包括多对交替生长的量子阱层和量子垒层，所述N型覆盖层为Si掺的AlInP层； 其中，所述N型覆盖层的Si掺浓度大于3e17cm3，并且所述量子阱层和所述量子垒层的对数随所述N型覆盖层的Si掺浓度的增加而增加； 其中，所述N型覆盖层的Si掺浓度每增加一倍所述量子阱层和所述量子垒层的对数增加一对。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号