上海联影微电子科技有限公司施长治获国家专利权
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龙图腾网获悉上海联影微电子科技有限公司申请的专利硅通孔测试结构和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116876B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210733014.9，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权硅通孔测试结构和测试方法是由施长治设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅通孔测试结构和测试方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种硅通孔衬底噪声的测试结构，该测试结构中第一激励硅通孔和第二激励硅通孔均内嵌于测试晶圆衬底正面，第一激励硅通孔和第二激励硅通孔通过电学连接形成激励硅通孔对；各测试接触区制备在激励硅通孔周边；对激励硅通孔对施加脉冲信号，通过测量各测试接触区的对地响应信号确定硅通孔衬底噪声。该测试结构简化了获取激励硅通孔的衬底噪声的测试结构，可有效地获取到激励硅通孔的衬底噪声。
本发明授权硅通孔测试结构和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种硅通孔衬底噪声的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：第一激励硅通孔、第二激励硅通孔、至少一组测试接触区和内嵌在测试晶圆衬底的正面的至少一个硅通孔簇； 所述第一激励硅通孔和第二激励硅通孔均内嵌于所述测试晶圆衬底正面，所述第一激励硅通孔和所述第二激励硅通孔通过电学连接形成激励硅通孔对；各所述测试接触区在所述激励硅通孔周边； 每组测试接触区均包括：正面测试接触区和或背面测试接触区；所述正面测试接触区制备在所述测试晶圆衬底的正面；所述背面测试接触区制备在所述测试晶圆衬底的背面与所述正面测试接触区相对应的位置； 所述至少一个硅通孔簇中的任意一个硅通孔簇包括至少两个并联的硅通孔；所述至少两个并联的硅通孔的顶部通过金属延伸电极连接，所述至少两个并联的硅通孔的底部通过金属延伸电极连接到所述背面测试接触区； 对所述激励硅通孔对施加脉冲信号，测量各所述测试接触区的对地响应信号确定硅通孔衬底噪声。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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