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龙图腾网获悉上海芯导电子科技股份有限公司申请的专利SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211464292.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法是由李艳旭;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SiCTrenchMOSFET器件的制造方法，包括：提供一衬底；在衬底上依次形成缓冲层、第一外延层以及第一栅氧层；其中，第一外延层包括一凹槽；第一栅氧层形成于凹槽中；形成第二外延层、体区离子注入层、源区离子注入层、p型离子注入层、p+型离子注入层、第二栅氧层、栅极沟槽、栅极、层间介质层、接触孔以及金属层；其中，形成的第一栅氧层的厚度为200‑500nm。本申请提供的技术方案，通过分步外延的方式，解决了形成的第一栅氧层的厚度无法满足器件性能要求的技术问题，进而解决了因底部栅氧厚度没有达到要求而导致的器件击穿电压较小的问题，从而实现了对SiCTrenchMOSFET器件较为薄弱的沟槽底部得以有效保护的技术效果。

本发明授权SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCTrenchMOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上依次形成缓冲层、第一外延层以及第一栅氧层；其中，所述第一外延层包括一凹槽；所述第一栅氧层形成于所述凹槽中； 形成第二外延层、体区离子注入层、源区离子注入层、p型离子注入层、p+型离子注入层、第二栅氧层、栅极沟槽、栅极、层间介质层、接触孔以及金属层；其中，所述第二外延层形成于所述第一外延层上；所述体区离子注入层和所述源区离子注入层依次形成于所述第二外延层的表层；所述栅极沟槽形成于所述第一栅氧层的顶端，且贯穿所述第二外延层、所述体区离子注入层以及所述源区离子注入层；所述第二栅氧层形成于所述栅极沟槽的侧壁和所述第一栅氧层的表面；所述栅极形成于所述栅极沟槽中；所述p型离子注入层形成于所述第一栅氧层两侧的部分所述第二外延层与部分所述体区离子注入层中；所述p+型离子注入层形成于所述p型离子注入层的顶端且贯穿所述源区离子注入层；所述层间介质层形成于所述栅极顶端且横跨所述栅极；所述金属层形成于所述接触孔中且包围所述层间介质层； 其中，形成的所述第一栅氧层的厚度为200-500nm； 形成所述接触孔之后，还包括：形成粘结层；所述粘结层包围所述层间介质层且覆盖所述接触孔的底部；所述金属层形成于所述粘结层上。

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