华南理工大学涂治红获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种兼容微波毫米波的SIW跨频段双圆极化融合天线获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116780178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310641740.2,技术领域涉及:H01Q1/38;该发明授权一种兼容微波毫米波的SIW跨频段双圆极化融合天线是由涂治红;梁乐园;何木妹设计研发完成,并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种兼容微波毫米波的SIW跨频段双圆极化融合天线在说明书摘要公布了:本发明提供的一种兼容微波毫米波的SIW跨频段双圆极化融合天线包括由上往下依次层叠设置的上层金属层、第一介质层、中间金属层、第二介质层、地板金属层、第三介质层和馈电网络层;所述第一介质层上设置有四组第一金属通孔阵列,每一组第一金属通孔阵列对应设置于一个正方形辐射单元的下方;第一金属通孔阵列的上下两端分别与正方形辐射单元和中间金属层电性连接,以形成毫米波辐射SIW结构;所述第二介质层上设置有第二金属通孔阵列,第二金属通孔阵列的上下两端分别与中间金属层和地板金属层电性连接,以复用中间金属层,形成微波辐射SIW结构。本发明在保持良好的圆极化特性的同时,能够实现在毫米波段和微波段的跨频段双频工作模式。
本发明授权一种兼容微波毫米波的SIW跨频段双圆极化融合天线在权利要求书中公布了:1.一种兼容微波毫米波的SIW跨频段双圆极化融合天线,其特征在于,包括由上往下依次层叠设置的上层金属层、第一介质层、中间金属层、第二介质层、地板金属层、第三介质层和馈电网络层; 所述上层金属层包括印刷于第一介质层上表面的四个形状相同的正方形辐射单元;所述四个正方形辐射单元在第一介质层上排列成两行两列的矩阵; 所述馈电网络层包括印刷于第三介质层下表面的微波馈电网络和毫米波馈电网络; 所述微波馈电网络具有一个输入端和四个输出端,所述微波馈电网络的四个输出端分别通过一微波馈电探针向中间金属层馈电;微波馈电探针的下端与微波馈电网络的输出端电性连接,微波馈电探针的上端依次穿过第三介质层、地板金属层和第二介质层后,与中间金属层电性连接; 所述毫米波馈电网络具有一个输入端和四个输出端,所述毫米波馈电网络的四个输出端与上层金属层上的四个正方形辐射单元一一对应,毫米波馈电网络的每个输出端分别通过一毫米波馈电探针向一个正方形辐射单元馈电;毫米波馈电探针的下端与毫米波馈电网络的输出端电性连接,毫米波馈电探针的上端依次穿过第三介质层、地板金属层、第二介质层、中间金属层和第一介质层后,与正方形辐射单元的中心电性连接; 所述第一介质层上设置有四组第一金属通孔阵列,每一组第一金属通孔阵列对应设置于一个正方形辐射单元的下方;第一金属通孔阵列的上下两端分别与正方形辐射单元和中间金属层电性连接,以形成毫米波辐射SIW结构; 所述第二介质层上设置有第二金属通孔阵列,第二金属通孔阵列的上下两端分别与中间金属层和地板金属层电性连接,以复用中间金属层,形成微波辐射SIW结构; 每一组第一金属通孔阵列包括若干个A类金属通孔,所述若干个A类金属通孔在第一介质层上沿正方形辐射单元覆盖区域的边缘以及中心线排列; 所述中间金属层呈正方形,所述第二金属通孔阵列包括若干个B类金属通孔,所述若干个B类金属通孔在第二介质层上沿中间金属层覆盖区域的两条对角线交叉排列。
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