东南大学王江羽获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利采用金属牺牲层的MEMS微镜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116902907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310861933.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权采用金属牺牲层的MEMS微镜制备方法是由王江羽;夏军设计研发完成，并于2023-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本采用金属牺牲层的MEMS微镜制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用金属牺牲层的MEMS微镜制备方法，属于MEMS微镜制备领域，首先在晶圆正面制备绝缘层，光刻图案化并刻蚀；在晶圆背部图案化，依次对衬底和绝缘层进行刻蚀，刻至器件层底部停止；在背部空腔制备金属牺牲层；在晶圆正面光刻图案化及器件层刻蚀，刻至金属牺牲层停止；最后去除金属牺牲层，释放镜面等器件层可动结构。本发明通过使用导电性良好的金属制备金属牺牲层，可以避免绝缘层上表面形成内建电场，防止干法刻蚀MEMS微镜器件层时的缺口效应，提升了器件可靠性和产品良率，同时工艺简单，为制备垂直静电梳齿型MEMS微镜提供了一种新方法。
本发明授权采用金属牺牲层的MEMS微镜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用金属牺牲层的MEMS微镜制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：在晶圆正面通过化学气相沉积制备绝缘层，对绝缘层图案化，在晶圆正面旋涂光刻胶进行光刻，采用干法刻蚀工艺刻蚀出器件层表面需要引出驱动电信号的区域，在晶圆正面沉积金属层，并进行退火操作，在经退火的晶圆表面旋涂光刻胶进行光刻，采用干法刻蚀工艺刻蚀出镜面高反射层结构和电极； 步骤2：晶圆背部结构刻蚀，对晶圆背部旋涂光刻胶，光刻出图形，再进行干法刻蚀，刻蚀基底层至埋氧层形成背腔；去除部分埋氧层，保留光刻出的图形，采用干法刻蚀工艺刻蚀埋氧层； 步骤3：背面溅射金属牺牲层，采用磁控溅射工艺在晶圆背面直流溅射金属膜作为干法刻蚀器件层时的导电导热层； 步骤4：在器件层进行光刻形成正面镜面、框架、梳齿及隔离槽结构，再进行深反应离子刻蚀，刻到金属牺牲层为止； 步骤5：去除背面金属牺牲层，使用干法刻蚀技术刻蚀可动结构下方的金属膜，释放MEMS微镜的可动结构，得到MEMS微镜。
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