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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种沟道双向耗尽集成二极管的MISFET及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116995097B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310995106.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种沟道双向耗尽集成二极管的MISFET及其制备方法是由徐少东;彭若诗;袁俊;郭飞;王宽;何俊蕾;魏强民;黄俊;杨冰;吴畅设计研发完成，并于2023-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟道双向耗尽集成二极管的MISFET及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体场效应晶体管技术领域，具体涉及一种沟道双向耗尽集成二极管的MISFET。其包括n型氧化镓衬底、制作在n型氧化镓衬底正面上的n型氧化镓外延层、成列制作在n型氧化镓外延层内部和上表面的p型半导体材料层、制作在两列p型半导体材料层之间或之间区域上方的栅电极、源电极以及漏电极；p型半导体材料层位于n型氧化镓外延层内部的部分呈多级阶梯型结构，p型半导体材料层位于n型氧化镓外延层上表面之间的区域为栅极区，栅极区两侧制作有垂直导电通道，垂直导电通道之间制作有水平导电通道，水平导电通道的厚度不大于垂直导电通道的高度。该器件为结增强型器件，并且能够同时实现沟道双向耗尽及集成二极管。

本发明授权一种沟道双向耗尽集成二极管的MISFET及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟道双向耗尽集成二极管的MISFET，其特征在于，包括n型氧化镓衬底1、制作在n型氧化镓衬底1正面上的n型氧化镓外延层2、成列制作在n型氧化镓外延层2内部和上表面的p型半导体材料层3、制作在两列p型半导体材料层3之间或之间区域上方的栅电极5、制作在器件正面的源电极7以及制作在n型氧化镓衬底1背面的漏电极8； 所述p型半导体材料层3位于n型氧化镓外延层2内部的部分呈多级阶梯型结构，所述p型半导体材料层3位于n型氧化镓外延层2上表面之间的区域为栅极区，所述栅极区两侧制作有垂直导电通道6，所述垂直导电通道6之间制作有水平导电通道4，所述垂直导电通道6的高度不大于p型半导体材料层位于n型氧化镓外延层2上的厚度，所述水平导电通道4的厚度不大于垂直导电通道6的高度，所述水平导电通道4的宽度大于两列p型半导体材料层3之间的最小间距；所述垂直导电通道6通过向部分位于n型氧化镓外延层上表面上的p型半导体材料层3中注入Si离子或N离子形成n型半导体制备得到。

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