浙江创芯集成电路有限公司王耀庭获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311042221.0，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构的形成方法是由王耀庭;高大为;许凯;吴永玉设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成初始第一掩膜层以及位于初始第一掩膜层上的第一介质层，第一介质层内具有初始开口，初始开口暴露出初始第一掩膜层表面；采用第一刻蚀工艺在初始开口暴露出的初始第一掩膜层内形成第一微沟槽，第一微沟槽到初始开口相对两侧侧壁的距离大于零；对第一介质层的高度进行减薄处理；采用第二刻蚀工艺在初始开口暴露出的初始第一掩膜层内形成第二微沟槽，第二微沟槽位于初始开口相对两侧侧壁底部；刻蚀第一微沟槽和第二微沟槽底部的初始第一掩膜层，以形成掩膜开口，初始第一掩膜层成为第一掩膜层。所述半导体结构的形成方法简化了小尺寸结构的形成步骤，节约了小尺寸刻蚀工艺的成本。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成初始第一掩膜层以及位于初始第一掩膜层上的第一介质层，所述第一介质层内具有初始开口，所述初始开口暴露出所述初始第一掩膜层表面； 采用第一刻蚀工艺在所述初始开口暴露出的初始第一掩膜层内形成第一微沟槽，所述第一微沟槽到初始开口相对两侧侧壁的距离大于零； 对所述第一介质层的高度进行减薄处理； 采用第二刻蚀工艺在所述初始开口暴露出的初始第一掩膜层内形成第二微沟槽，所述第二微沟槽位于初始开口相对两侧侧壁底部； 刻蚀所述第一微沟槽和第二微沟槽底部的所述初始第一掩膜层，以形成掩膜开口，所述掩膜开口的宽度大于所述第一微沟槽、第二微沟槽的宽度，所述掩膜开口贯穿所述初始第一掩膜层，所述初始第一掩膜层成为第一掩膜层。
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