江南大学蔡正阳获国家专利权
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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种以硫化镉为硫源生长双层二维材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117328034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311255433.7，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种以硫化镉为硫源生长双层二维材料的方法是由蔡正阳;丁常源;林依婷;顾晓峰;肖少庆;南海燕设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种以硫化镉为硫源生长双层二维材料的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种以硫化镉作为硫源生长双层二维材料的方法，所述制备方法包括：将过渡金属源与硫化镉粉末在保护性气体中进行化学气相沉积反应，通过将沉积时的温度控制在700‑850℃，在生长衬底表面制备出AA堆叠和AB堆叠的双层过渡金属硫族化合物。所述双层过渡金属硫族化合物的尺寸为10‑100μm，厚度为1～3nm。本发明首次提出使用单硫分子的硫化镉粉体作为硫源来进行化学气相沉积生长堆叠方式可控的双层二维材料，本发明所述方法简单易操作，过程可控，所得材料形貌较好，具有广阔的应用前景。
本发明授权一种以硫化镉为硫源生长双层二维材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种以硫化镉作为硫源生长双层二维材料的方法，其特征在于，所述方法包括：将过渡金属源与硫化镉粉末在保护性气体中进行化学气相沉积反应，通过将沉积时的温度控制在700-850℃，在生长衬底表面制备出AA堆叠或AB堆叠的双层过渡金属硫族化合物；通过将沉积时的温度控制在790-840℃，在生长衬底表面制备出AA堆叠的双层过渡金属硫族化合物；通过将沉积时的温度控制在800-850℃，在生长衬底表面制备出AB堆叠的双层过渡金属硫族化合物。
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