华邦电子股份有限公司李政帅获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603966B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311379451.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体结构及其形成方法是由李政帅;蔡孟弦;吕岳峰;蔡高财设计研发完成，并于2023-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括衬底以及字线。衬底具有多个有源区和多个非有源区，多个有源区和非有源区在第一方向上交替设置且沿着第二方向延伸。字线跨设于有源区和非有源区上，且字线包括多个第一导电部位于对应的有源区上、多个隔离柱位于对应的非有源区上、栅介电层位于多个第一导电部上以及多个隔离柱上、以及第二导电部位于栅介电层上且沿着第一方向延伸。前述第一导电部和隔离柱在第一方向上交替设置，第二导电部的突出件对应多个非有源区，其中在非有源区上沿着第二方向的剖面，隔离柱位于对应的突出件的相对侧。可见，本发明所制得的字线具有良好廓形，使应用的半导体结构具有良好的电性表现。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一衬底，具有多个有源区和多个非有源区，所述多个有源区和所述多个非有源区在第一方向上交替设置且沿着第二方向延伸：以及 一字线，位于所述衬底上方并跨设于所述多个有源区和所述多个非有源区上，所述字线包括： 多个第一导电部，位于对应的所述多个有源区上； 多个隔离柱，位于对应的所述多个非有源区上，且所述多个第一导电部和所述多个隔离柱在所述第一方向上交替设置； 一栅介电层，位于所述多个第一导电部上以及所述多个隔离柱上；以及 一第二导电部，位于所述栅介电层上且沿着所述第一方向延伸，所述第二导电部的一突出件对应所述多个非有源区，其中在所述多个非有源区上沿着所述第二方向的剖面，所述多个隔离柱位于对应的所述突出件的相对侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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