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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利高密度光电集成的三维封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117497516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311459593.3，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权高密度光电集成的三维封装结构及其制作方法是由张文亚;袁恺;闵成彧设计研发完成，并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本高密度光电集成的三维封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高密度光电集成的三维封装结构及其制作方法，包括：封装基板及依次叠置于封装基板上的光芯片、重新布线层和电芯片；电芯片包括功能面且设置成以其功能面与重新布线层直接接触，电芯片通过重新布线层内的金属线路与光芯片电性互连，以允许光电转换元件的输出信号经由重新布线层内的金属线路传输至跨阻放大器芯片；重新布线层上还设置有电连接部件，电连接部件通过重新布线层内的金属线路与跨阻放大器芯片电性耦合，用于实现跨阻放大器芯片的信号引出，可缩短传输路径，减少损耗，提高传输速率，还可以降低封装高度。本发明的制作方法通过于电芯片功能面一侧形成重新分布层，省略了电芯片下方的凸点工艺，整个制备过程简单易行。

本发明授权高密度光电集成的三维封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高密度光电集成的三维封装结构，其特征在于，包括： 封装基板及所述封装基板上依次叠置的光芯片、重新布线层和电芯片； 所述光芯片包括光电转换元件； 所述电芯片包括功能面且设置成以其功能面与所述重新布线层直接接触，所述电芯片包括跨阻放大器芯片，所述电芯片通过所述重新布线层内的金属线路与所述光芯片电性互连，以允许所述光电转换元件的输出信号经由所述重新布线层内的金属线路传输至所述跨阻放大器芯片； 所述重新布线层上还设置有电连接部件，所述电连接部件包括硅桥芯片，所述硅桥芯片和所述电芯片并排布置于所述重新布线层的第一主面上；所述硅桥芯片还包括导电通孔以及接合于所述导电通孔一端的接触焊盘，所述硅桥芯片的接触焊盘直接接触于所述重新布线层的第一主面上且通过所述重新布线层内的金属线路与所述跨阻放大器芯片电性耦合；所述电连接部件与所述电芯片间隔设置且通过所述重新布线层内的金属线路与所述跨阻放大器芯片电性耦合，用于实现所述跨阻放大器芯片的信号引出，包覆所述电连接部件和所述电芯片还设置有塑封层；所述硅桥芯片配置有允许将所述跨阻放大器芯片的多通道信号向外部并行输出的多个导电通孔，所述硅桥芯片的高度大于所述电芯片的高度以使所述硅桥芯片的顶部裸露并通过引线键合与所述封装基板电连接，用于实现所述跨阻放大器芯片的信号引出。

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