安徽工业大学冉松林获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽工业大学申请的专利一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117586014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311537472.6，技术领域涉及：C04B35/563；该发明授权一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷及其制备方法是由冉松林;赵峻;刘亮亮;王东;金星;丁祥设计研发完成，并于2023-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有TiB2–SiC复合小晶粒包覆B4C大晶粒的显微结构，其中：TiB2的体积含量为5–20％，TiB2与SiC的摩尔比为2:3。该导电复相陶瓷制备原料为：B4C、TiC和单质Si粉体，其制备步骤是：按照成分设计配比分别称取原料粉体；混合均匀后充分干燥；使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷。本发明构筑了TiB2–SiC复合小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构，SiC的引入有效地抑制了TiB2导电相晶粒的长大，促进了导电网络的形成和完善。与没有引入SiC相比，本发明制备的复相陶瓷在相同或更低TiB2含量下具有更高的电导率。本发明制备过程简单，无需任何其它特殊复杂方法。
本发明授权一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷，其特征在于，所述导电复相陶瓷具有包覆型显微结构，即TiB2–SiC复合小晶粒包覆在B4C大晶粒周围；所述导电复相陶瓷中TiB2的体积含量为5–20%，TiB2与SiC的摩尔比为2:3； 所述的B4C–TiB2–SiC导电复相陶瓷的制备方法包括如下步骤： （1）按照成分设计分别称取B4C、TiC和单质Si粉体；所述B4C粉体的粒径为10.0–30.0µm，所述TiC粉体的粒径为0.05-3.0µm，所述单质Si粉体的粒径为0.05–10.0µm； （2）将步骤（1）称量好的粉体混合均匀并充分干燥； （3）将步骤（2）干燥后的粉体装入石墨模具，并置于放电等离子体烧结炉内在真空气氛中进行烧结。
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