清华大学崔超婕获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种硅氧碳电极材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117623313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311568272.7，技术领域涉及：C01B33/00；该发明授权一种硅氧碳电极材料的制备方法是由崔超婕;骞伟中;魏飞设计研发完成，并于2023-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅氧碳电极材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅氧碳电极材料的制备方法，通过将硅源浸渍于模板剂溶液中，然后加入碳纳米管或纤维材料，经过滤、干燥和焙烧，得到碳材料与全硅纳米片复合的复合材料；将复合材料加入酚醛树脂的碱性溶液中碳化、粉碎，得到硅氧碳颗粒；再对硅氧碳颗粒进行刻蚀、热处理，得到富含直径为0.5～2nm孔道的硅氧碳电极材料。由于全硅纳米片是孔道结构较为均匀的片状结构，且尺寸是纳米级，易发生反应。且得到的硅氧碳电极材料具有优异的产品一致性和空间均匀性，使用寿命提高2‑3倍。并且，硅氧碳电极材料由于反应前驱体的机械强度大，能通过流化床大批量制备，成本降低30‑50％。此外，该硅氧碳电极材料能以极大的颗粒存在，更易制浆，制得的极片压实密度高了20‑30％。
本发明授权一种硅氧碳电极材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅氧碳电极材料的制备方法，其特征在于，包括： 在搅拌条件下，将模板剂浸渍于温度为160～250℃的硅源溶液中，加入碱性剂，反应0.2～1h后，进一步加入碳纳米管或纤维材料，继续反应2.8～24h后，经过滤、干燥和焙烧，得到全硅纳米片和碳材料复合的复合材料；所述碳纳米管或纤维材料的质量占所述复合材料的0.5-1％；所述全硅纳米片的孔道直径为0.5～2nm； 将所述复合材料放入到酚醛树脂的碱性溶液中，搅拌固化后，进行粉碎，得到直径为0.01～0.1mm的硅氧碳颗粒； 在800～1000℃的条件下，采用水蒸气或CO2对所述硅氧碳颗粒刻蚀3～24h，然后在1500～2500℃的惰性气体氛围中，进行3～24h的热处理，得到孔道直径为0.5～2nm的硅氧碳电极材料； 所述模板剂为四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、三乙胺和烷基二胺中的一种或多种。
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