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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利超结IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117577671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311578709.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权超结IGBT器件是由曾大杰设计研发完成，并于2023-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超结IGBT器件，包括：超结结构以及位于超结结构底部的第一外延层，超结结构的第二导电类型柱的底部表面位于第一外延层的顶部表面之下，在第二导电类型柱的底部形成有第二导电类型的第一底部掺杂区，第一底部掺杂区和第二导电类型柱的延伸到第一外延层中的延伸部分相接触且叠加形成第二底部掺杂区，在器件反偏时，各第二底部掺杂区对第一外延层进行耗尽并形成底部耐压层；超结IGBT器件的正面结构包括第二导电类型掺杂的沟道区。沟道区和第二导电类型柱之间具有第一导电类型掺杂的第一顶部掺杂区，第一顶部掺杂区使第二导电类型柱呈浮置结构。本发明能提高器件的击穿电压并同时降低工艺难度，能使器件的击穿电压达1200V以上。

本发明授权超结IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种超结IGBT器件，其特征在于，包括：第一导电类型掺杂的第一外延层以及形成于所述第一外延层顶部表面上的第一导电类型掺杂的第二外延层； 在所述第二外延层中形成有多个第二导电类型柱，由各所述第二导电类型柱之间的所述第二外延层组成第一导电类型柱；所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱交替排列形成超结结构； 所述第二导电类型柱的掺杂浓度和所述第二外延层的掺杂浓度相匹配使所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱的电荷匹配，在器件反偏时，所述超结结构耗尽并形成顶部耐压层； 所述第二导电类型柱的底部表面位于所述第一外延层的顶部表面之下，在各所述第二导电类型柱的底部表面之下的所述第一外延层中形成有第二导电类型的第一底部掺杂区； 所述第一底部掺杂区和所述第二导电类型柱的延伸到所述第一外延层中的延伸部分相接触且叠加形成第二底部掺杂区，在器件反偏时，各所述第二底部掺杂区对所述第一外延层进行耗尽并形成底部耐压层；所述第二导电类型柱的掺杂浓度具有由工艺产生的波动，所述第一底部掺杂区的掺杂浓度满足在所述第二导电类型柱的掺杂浓度为波动的最低值时依然保证在器件反偏时对所述第一外延层进行耐压所需要的充分耗尽； 超结IGBT器件的正面结构包括第二导电类型掺杂的沟道区； 所述沟道区和所述第二导电类型柱之间具有第一导电类型掺杂的第一顶部掺杂区，所述第一顶部掺杂区使所述第二导电类型柱和所述沟道区相间隔并从而使所述第二导电类型柱呈浮置结构； 所述超结IGBT器件的背面结构形成于所述第一外延层的背面； 所述第二导电类型柱的组成结构包括填充于超结沟槽中第二导电类型的第三外延层； 所述第二导电类型柱的底部表面由所述超结沟槽的底部表面确定，所述超结沟槽的底部表面位于所述第一外延层的顶部表面之下； 所述第一底部掺杂区为自对准形成于所述超结沟槽底部的第二导电类型的离子注入区； 所述第一外延层的电阻率为所述第二外延层的电阻率的5倍以上。

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