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龙图腾网获悉中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利一种外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118127626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410200909.5，技术领域涉及：C30B29/06；该发明授权一种外延片及其制备方法是由韩少锋;黄星博;王自坤设计研发完成，并于2024-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种外延片及其制备方法。该外延片制备方法，包括：将衬底放入反应腔内；将反应腔升温至第一温度T1，向反应腔内通入氢气，对衬底进行烘烤；将反应腔降温至第二温度T2，保持向反应腔内通入氢气，并向反应腔内通入硅源气体和掺杂气体，以在衬底上生长外延层；停止通入硅源气体和掺杂气体，得到外延片；其中，60℃≤T1‑T2≤80℃。本申请通过在生长外延片前采用高温对衬底进行烘烤，在外延生长过程中采用低温进行外延层生长，可以释放外延层生长过程中的热应力，从而降低制备得到的外延片的翘曲度，提高产品良率。

本发明授权一种外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延片制备方法，其特征在于，包括： 将反应腔升温至第三温度T3，所述第三温度T3的范围为1150~1190℃，通入氯化氢气体对所述反应腔内的基座进行刻蚀； 通入氯化氢气体对所述反应腔进行刻蚀之后，将所述反应腔降温至第四温度T4，所述第四温度T4的范围为750~850℃； 将衬底放入所述反应腔内； 将所述反应腔升温至第一温度T1，向所述反应腔内通入氢气，对所述衬底进行烘烤；所述第一温度T1的范围为1170~1180℃；在对所述衬底进行烘烤的过程中，所述烘烤的时间为1~1.5min; 将所述反应腔降温至第二温度T2，保持向所述反应腔内通入所述氢气，保持所述反应腔在所述第二温度T2恒温30~60s；向所述反应腔内通入硅源气体和掺杂气体，以在所述衬底上生长外延层；所述第二温度T2的范围为1100~1110℃；在所述衬底上生长外延层的过程中，所述氢气的气流量为40~60Lmin；所述硅源气体的气流量为10~20gmin； 停止通入所述硅源气体和所述掺杂气体，得到外延片，然后，通入氢气对所述外延片进行吹扫后，将所述反应腔降温至第五温度T5，所述第五温度T5的范围为750~850℃； 其中，60℃≤T1-T2≤80℃，所述外延片的翘曲度为40~50μm。

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