昆明理工大学葛振华获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种多孔氧化铟陶瓷热电材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118344126B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410324032.0，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权一种多孔氧化铟陶瓷热电材料的制备方法是由葛振华;钟天宇;李祖刚;山泉;冯晶设计研发完成，并于2024-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多孔氧化铟陶瓷热电材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多孔氧化铟陶瓷热电材料的制备方法，属于热电材料技术领域。制备方法为：按比例称取In2O3、WO3和Ta2O5各类原料，将其倒入球磨罐中，以无水乙醇为介质，在行星式球磨机中球磨均匀后，将其干燥、过筛，过筛后的粉体置于不锈钢模具中，在一定的压力下保压，得到陶瓷坯体，随后放入到高温炉中进行烧结，完成高温固相反应，得到致密的陶瓷坯体，煅烧结束后随炉冷却，待温度降至室温取出块体，得到WO3和Ta2O5掺杂的氧化铟多孔陶瓷热电材料。掺杂后的样品电导率大幅度提升的同时WO3造孔使得晶格热导率得到了优化，同时二次烧结后的样品致密度相较纯样品提高了10％。该方法具有所需设备简单，易操作，成本低，效果显著的优点。
本发明授权一种多孔氧化铟陶瓷热电材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多孔氧化铟陶瓷热电材料的制备方法，其特征在于：以In2O3粉末为陶瓷基体，通过掺杂Ta2O5粉体和WO3粉末经过二次烧结得到多孔氧化铟陶瓷热电材料，其中In2O3粉末、Ta2O5粉体和WO3粉末的质量比为131:1:2～131:1:4； 具体包括以下步骤：将In2O3粉末、Ta2O5粉体混合后进行球磨、干燥、过筛，将得到的Ta2O5掺杂的In2O3粉体压制成坯体后进行烧结，烧结温度为1200~1400℃保温时间为5~8h，待温度降至室温取出块体，得到Ta2O5掺杂的氧化铟陶瓷热电材料，再加入WO3粉末进行球磨、干燥、过筛，将得到的WO3和Ta2O5共掺杂的粉体压制成坯体后进行二次烧结，1300~1400℃保温时间为6~10h，待温度降至室温取出块体，最终得到多孔氧化铟陶瓷热电材料。
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