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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利交变电场中可控硅基微纳球腔螺旋迁移的研究方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118262841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410376773.3，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权交变电场中可控硅基微纳球腔螺旋迁移的研究方法是由张俐楠;王靖;沈同舟;王洪成;吴立群设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本交变电场中可控硅基微纳球腔螺旋迁移的研究方法在说明书摘要公布了：本发明涉及交变电场下可控硅基微纳球腔螺旋迁移的研究方法，包括：利用激光加工方法对硅基内部进行加工；通过对硅基施加热场、恒定电场、交变电场，设置不同的温度以及电场强度和方向，建立热场、恒定电场作用下微腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型以及热场、交变电场作用下微腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型；分别将上述数学模型在COMSOL软件进行仿真模拟。本发明通过施加热场和均匀电场能够实现硅基微纳球腔形状保持稳定地定向迁移，能够实现硅基微纳球腔的三维运动，可通过施加交变电场来实现并且控制球腔的三维运动，能够有效地得到更高质量、更优质性能的微纳器件。

本发明授权交变电场中可控硅基微纳球腔螺旋迁移的研究方法在权利要求书中公布了：1.交变电场下可控硅基微纳球腔螺旋迁移的研究方法，特征在于，包括以下步骤： S1、利用激光加工方法对硅基内部进行加工，以在硅基上形成微纳球腔； S2、通过对经过步骤S1处理的硅基施加热场、恒定电场、交变电场，设置不同的温度以及电场强度和方向，建立热场、恒定电场作用下微纳球腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型以及热场、交变电场作用下微纳球腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型，对硅基微纳球腔周围原子的分布情况进行分析同时探究球腔表面原子与电子之间的能量交换，从而得到交变电场下可控硅基微纳球腔空间螺旋迁移的轨迹状况； S3、分别将热场、恒定电场作用下微纳球腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型以及热场、交变电场作用下微纳球腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型在COMSOL软件进行仿真模拟； 所述微纳球腔形态稳定的目标参数： ； 其中，为微纳球腔的半径，为硅基材料的有效电荷数，e为电子的电荷，为施加的电压，是原子的体积，为表面能； 所述热场、恒定电场作用下微腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型为：，即电场作用下引起的原子的扩散通量和热场作用下引起的原子的扩散通量之和； ； ； 其中，为原子密度，为电阻率，为硅基材料的自扩散系数，为波尔茨曼常数，为绝对温度，为硅基材料的激活能，为莫尔热流量，为电场的电流密度，grad为grad函数； 所述热场、交变电场作用下微纳球腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型为： ； 其中，；； ，以此类推； ，以此类推； 其中，为原子密度，为电场的电流密度，为电阻率，为硅基材料的自扩散系数，为波尔茨曼常数，为绝对温度，为硅基材料的激活能，为莫尔热流量，grad为grad函数。

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