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龙图腾网获悉广州天极电子科技股份有限公司申请的专利一种3D硅基电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118448398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410533420.X，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权一种3D硅基电容器及其制备方法是由雷作双;黄雄霆;谢茁壮;卢敏仪;赵阳设计研发完成，并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3D硅基电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于硅基电容器技术领域，具体涉及一种3D硅基电容器及其制备方法。本发明提供的3D硅基电容器在衬底层上表面设置凹槽，垂直方向上增长了第一电介质层的长度，使第一电介质层在沟槽中电容有效面积变大，从而增加了单位体积内电容的有效面积，提高芯片利用率，使电容器容值密度变大。本发明中第一电介质层和第二电介质层串联，形成T形电容，而且本发明使用电介质连接层保护器件内部，同时也可以作为第三电介质层串联连接第一电介质层和第二电介质层，而电容器的电极分布在总电介质层两端，从而使电介质连接层、第一电介质层和第二电介质层形成一个互联不间断的整体连续的电介质层，提高芯片利用率，使电容器容值密度变大。

本发明授权一种3D硅基电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3D硅基电容器，其特征在于，包括： 衬底层1，所述衬底层1的上表面向内凹陷设有若干阵列排布的凹槽2； 第一多晶硅导电层3a，所述第一多晶硅导电层3a覆盖所述衬底层1的上表面； 位于所述第一多晶硅导电层3a上表面的第一电介质层4a，所述第一电介质层4a由若干阵列排布且相互分离的第一电介质单元组成，每个第一介质单元覆盖一个凹槽的位置且延伸出槽口； 位于所述第一电介质单元部分上表面的第二多晶硅导电层3b，所述第二多晶硅导电层3b由若干阵列排布的第二多晶硅导电单元组成，每个所述第二多晶硅导电单元填充一个第一电介质单元的凹槽位置且延伸出槽口； 位于所述第一电介质层4a的部分上表面和第二多晶硅导电层3b的部分表面的第二电介质层4b，所述第二电介质层4b由若干阵列排布的第二电介质单元组成，每个第二电介质单元对应凹槽2区域的位置设有第一通孔； 位于所述第一多晶硅导电层3a的部分上表面以及第二电介质层4b的部分表面、同时与所述第一电介质层4a的部分表面接触的连接层5，所述连接层5在对应所述第一通孔的区域设置第二通孔，所述第二通孔和第一通孔同轴，且所述第二通孔的直径大于第一通孔的直径； 位于所述第一多晶硅导电层3a的部分上表面、所述连接层5的表面、以及第二电介质层4b的部分上表面的电介质连接层6，所述电介质连接层6在对应所述第一通孔的区域设置第三通孔，所述第三通孔和第一通孔同轴，且所述第三通孔的直径小于第二通孔的直径同时大于等于第一通孔的直径； 位于所述电介质连接层6的上表面、同时填充第一通孔和第三通孔形成的区域，且与位于所述第一通孔底面的第二多晶硅导电层3b部分上表面接触的金属阳极层7，所述金属阳极层7连续； 位于所述衬底层1的下表面的金属阴极层8。

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