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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118524771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410580029.5，技术领域涉及：H10N30/853；该发明授权硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构、制备方法及应用是由徐卓;王新健;魏晓勇;王志宏;胡庆元;张跃斌;韩泽祺设计研发完成，并于2024-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及铁电单晶技术以及声光电器件技术领域，尤其是硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构、制备方法及应用，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设置有二氧化硅层和单晶压电薄膜层；所述单晶压电薄膜层为铌镁酸铅系压电单晶，包括二元系PMN‑PT单晶薄膜或三元系PIN‑PMN‑PT单晶薄膜。利用该硅衬底上压电晶圆结构可以制备各种高性能压电MEMS传感器、执行器和电光调制器件。所制备的声表面波滤波器以及薄膜体声波滤波器相对带宽提升超过50％，所制备的电光调制器具有更低的半波电压以及更高的电光调制效率，器件体积可缩小10倍，可更好的应对未来6G通信对MEMS器件更高效、高集成和小型化等要求，为压电MEMS器件和光电器件小型化和集成化提供了一种全新的多层压电晶圆结构。

本发明授权硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构的制备方法，其特征在于，所述硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）上依次设置有二氧化硅层（2）和单晶压电薄膜层（3），所述单晶压电薄膜层（3）为PMN-PT单晶薄膜或PIN-PMN-PT单晶薄膜；所述PIN-PMN-PT单晶薄膜为三元固溶体，通式为：xPbIn12Nb12O3-yPbMg13Nb23O3-1-x-yPbTiO3，其中，0.15≤x≤0.3，0.4≤y≤0.55；所述PMN-PT单晶薄膜为二元固溶体，通式为zPbIn12Nb12O3-1-zPbTiO3，其中，0.1≤z≤0.7，制备方法包括： 将生长的PMN-PT单晶晶棒或PIN-PMN-PT单晶晶棒进行定向、机械切割、抛光和清洗，获得压电单晶晶圆； 向压电单晶晶圆内注入离子； 将热氧硅片与注入离子后的压电单晶晶圆进行键合，组成键合对；所述热氧硅片包括硅衬底（1）和二氧化硅层（2）； 将键合对进行退火处理，使压电单晶晶圆在注入离子层处剥离，得到硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构； 或 将生长的PMN-PT单晶晶棒或PIN-PMN-PT单晶晶棒进行定向、机械切割、抛光和清洗，获得压电单晶晶圆； 将热氧硅片与压电单晶晶圆进行键合，组成键合对； 对键合对上的压电单晶晶圆进行机械抛光和表面CMP处理，使压电单晶晶圆厚度控制在300～5000nm，得到硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构。

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