北京化工大学;中国航天科技创新研究院马贵平获国家专利权
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龙图腾网获悉北京化工大学;中国航天科技创新研究院申请的专利一种光固化耐高温低介电材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118516032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410628769.1，技术领域涉及：C09D163/10；该发明授权一种光固化耐高温低介电材料及其制备方法是由马贵平;李梦竹;孔娅;张春阳;迟百宏;王鹏飞;陆宽设计研发完成，并于2024-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光固化耐高温低介电材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光固化耐高温低介电材料及其制备方法，涉及介电材料技术领域。该光固化耐高温低介电材料的原料包括耐高温光敏树脂100份，聚乙烯基咔唑修饰的POSS10～30份，光引发剂1～3份，光稳定剂0.1～0.5份。本发明的光固化耐高温低介电材料各材料的相互协同作用，固化后涂层有良好的力学性能、附着力好，介电常数低于2.25，能够承受高达350℃以上的高温且能够在200℃的高温下长期使用，可以满足一些对耐高温低介电等要求高的场合，如电子电气、航空航天、医疗机械等特定领域。
本发明授权一种光固化耐高温低介电材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光固化耐高温低介电材料，其特征在于，所述光固化耐高温低介电材料的原料按重量份数计，包括： 耐高温光敏树脂100份 聚乙烯基咔唑修饰的POSS10～30份 光引发剂1～3份 光稳定剂0.1～0.5份； 所述耐高温光敏树脂的原料包括：有机硅改性环氧丙烯酸酯树脂和丙烯酸酯单体稀释剂； 所述的丙烯酸酯单体稀释剂包括丙烯酰胺吗啉和三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯； 所述聚乙烯基咔唑修饰的POSS采用如下方法制备： 将POSS在甲苯中超声分散1.5～2h，得分散液，向含有POSS的分散液中加入聚乙烯基咔唑，继续超声分散3～5h，离心后烘干，得到聚乙烯基咔唑修饰的POSS； 所述光引发剂包括自由基光引发剂与阳离子光引发剂。
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