上海积塔半导体有限公司吴方获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利扩展电阻测试结构及其制作方法、扩展电阻测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118746710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410758240.1，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权扩展电阻测试结构及其制作方法、扩展电阻测试方法是由吴方;罗俊一设计研发完成，并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本扩展电阻测试结构及其制作方法、扩展电阻测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种扩展电阻测试结构及其制作方法、扩展电阻测试方法，包括以下步骤：提供一设有至少一芯片单元及环绕芯片单元的划片区的待测样片，芯片单元包括元胞区及环绕元胞区且包括多个终端环结构的终端区，划片区内形成有多个与终端环结构一一对应的标记结构且其所在区域与元胞区在X方向上相对应；于芯片单元上形成多个在X方向间隔设置且在Y方向上具有预设尺寸的测试区，不同测试区分别与不同终端环结构一一对应，测试区在Y方向上的一端位于元胞区内，另一端显露出相应的终端环结构，且形成测试区的过程中分别以与测试区显露的终端环结构所对应的标记结构作为停止标识。本发明实现了对扩展电阻测试位置的精确定位，提升了测试准确度。
本发明授权扩展电阻测试结构及其制作方法、扩展电阻测试方法在权利要求书中公布了：1.一种扩展电阻测试结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一待测样片，所述待测样片包括至少一芯片单元及环绕所述芯片单元的划片区，所述芯片单元至少包括元胞区以及环绕所述元胞区的终端区，所述终端区包括多个间隔设置且环绕所述元胞区的终端环结构，所述划片区内形成有多个分别与不同所述终端环结构一一对应的标记结构，所述标记结构所在区域与所述元胞区所在区域在X方向上相对应； 于所述芯片单元上形成多个在X方向间隔设置且在Y方向上具有预设尺寸的测试区，不同的所述测试区分别与不同的所述终端环结构一一对应，所述测试区在Y方向上的一端位于所述元胞区内，所述测试区在Y方向上的另一端显露出相应的所述终端环结构，且形成所述测试区的过程中分别以与所述测试区显露的所述终端环结构所对应的所述标记结构作为停止标识。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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