武汉华星光电半导体显示技术有限公司龚吉祥获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利驱动背板和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411827946.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权驱动背板和显示面板是由龚吉祥设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本驱动背板和显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种驱动背板和显示面板，驱动背板包括阵列排布在显示区的多个子像素，每个子像素包括多晶硅晶体管、氧化物晶体管以及存储电容，驱动背板还包括衬底以及设置在衬底上的第一半导体层、第一导电层、第二半导体层、第二导电层，第一半导体层形成多晶硅晶体管的有源部，第一导电层形成多晶硅晶体管的栅极，第二半导体层形成氧化物晶体管的有源部和存储电容的第一极板，第二导电层形成氧化物晶体管的栅极，如此通过使存储电容的第一极板与氧化物晶体管的有源部同层设置，可去掉第二半导体层与第一导电层之间的导电层，从而可简化驱动背板的膜层，简化制备工艺，提高制备效率，降低制作成本。
本发明授权驱动背板和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种驱动背板，其特征在于，包括显示区以及位于所述显示区一侧的非显示区，所述显示区内设置有多个子像素，每个所述子像素包括多晶硅晶体管、氧化物晶体管以及存储电容，所述存储电容的一极板与所述多晶硅晶体管的栅极均位于第一导电层，所述存储电容的另一极板与所述氧化物晶体管的有源部均位于第二半导体层，所述氧化物晶体管的栅极位于第二导电层，所述第二导电层位于所述第二半导体层远离所述第一导电层的一侧； 其中，所述驱动背板还包括设置于所述显示区内的挖孔区，所述第一导电层还包括位于所述显示区内的第一绕线，所述第二导电层还包括位于所述显示区内的第二绕线，所述第一绕线和所述第二绕线沿相同的方向延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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