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海信家电集团股份有限公司储金星获国家专利权

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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119300374B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411216749.X,技术领域涉及:H10D12/00;该发明授权半导体装置是由储金星;陈道坤;张永旺;刘恒;杨晶杰设计研发完成,并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体装置在说明书摘要公布了:本发明公开了半导体装置,半导体装置包括:基体;第二导电类型的阱层;第二导电类型的环层;介质层;第一金属层,第一金属层的多个电连接凸起中的一部分穿设第一接触孔且与环层接触电连接,另一部分穿设第二接触孔且与阱层接触电连接;第二金属层,第二金属层至少部分地设置于第二接触孔中且位于电连接凸起和阱层之间。由此,通过在有源区设置第一金属层和第二金属层,在过渡区仅设置第一金属层,且第一金属层的材料包括铜,第二金属层的材料包括氮化钛,这样不仅可以避免有源区内电荷集中导致的热击穿,还可以改善雪崩击穿时过渡区的电荷积聚,从而使得电流更容易从靠近终端区的过渡区流出实现卸流,可以提升半导体装置的终端区的雪崩耐量。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,包括: 基体20,所述基体20具有第一主面201及与第一主面201相反侧的第二主面202,所述第一主面201和所述第二主面202在第一方向上间隔设置; 第一导电类型的漂移层30,所述漂移层30设置于所述基体20且位于所述第一主面201和所述第二主面202之间; 第二导电类型的阱层40,所述半导体装置100包括终端区101、过渡区102和有源区103,所述终端区101周向环绕设置于所述有源区103的外侧,所述过渡区102周向环绕设置于所述有源区103的外侧且位于所述有源区103和所述终端区101之间,所述阱层40设置于所述漂移层30朝向所述第一主面201的一侧且与所述有源区103相对应,所述阱层40的第一方向远离所述漂移层30的一侧表面构成所述第一主面201的一部分,所述阱层40厚度从所述第一主面201沿第一方向朝向第二主面202延伸设置; 第二导电类型的环层50,所述环层50设置于所述漂移层30朝向所述第一主面201的一侧且与所述过渡区102相对应,所述环层50的第一方向远离所述漂移层30的一侧表面构成所述第一主面201的一部分,所述环层50厚度从所述第一主面201沿第一方向朝向第二主面202延伸设置; 介质层60,所述介质层60设置于所述第一主面201,所述介质层60对应所述过渡区102的部分设置有第一接触孔601,所述介质层60对应所述有源区103的部分设置有第二接触孔602; 第一金属层70,所述第一金属层70设置于所述介质层60上,所述第一金属层70设置有多个电连接凸起,多个所述电连接凸起中的一部分穿设所述第一接触孔601且与所述环层50接触电连接,多个所述电连接凸起中的另一部分穿设所述第二接触孔602且与所述阱层40电连接,所述第一金属层70的材料包括铜; 第二金属层80,所述第二金属层80位于所述有源区103中,所述第二金属层80至少部分地设置于所述第二接触孔602中且位于所述电连接凸起和所述阱层40之间,所述第二金属层80的材料包括氮化钛。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人海信家电集团股份有限公司,其通讯地址为:528300 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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