意法半导体国际公司F·朱利恩获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利电子器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223379522U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422287994.1，技术领域涉及：H10D86/00；该实用新型电子器件是由F·朱利恩设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及电子器件。一种晶体管器件包括绝缘体上硅SOI衬底，该SOI衬底具有多个多晶硅栅极，该多晶硅栅极包括多个凹式栅极和多个非凹式栅极。多个凹式栅极被凹入在SOI衬底的顶硅层中，并且多个非凹式栅极在顶硅层上。该多个凹式栅极包括在SOI衬底的凹部中的底掩埋部分上的上帽部分。
本实用新型电子器件在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，其特征在于，包括： 绝缘体上硅SOI衬底，所述SOI衬底包括： 第一硅层和第二硅层，所述第一硅层具有第一表面； 第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述第一硅层与所述第二硅层之间；以及 凹部，所述凹部在所述第一硅层的所述第一表面中； 第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一硅层的所述第一表面上并且在所述凹部中；以及 第一栅极，所述第一栅极在所述第二绝缘层上，所述第一栅极具有第一栅极部分和第二栅极部分，所述第一栅极部分在所述凹部中，所述第二栅极部分在所述第一栅极部分上，所述第二栅极部分具有在第一方向上与所述第一栅极部分不同的尺寸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士日内瓦；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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