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龙图腾网获悉浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利一种外延炉腔体的金属含量控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119221111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411770221.7，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权一种外延炉腔体的金属含量控制方法是由雷金澌;付成辛;刁睿;杨伟;杨金峰设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延炉腔体的金属含量控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种外延炉腔体的金属含量控制方法，包括以下阶段：清洁阶段，去除腔体内残留物质；先在腔体内通入气体去除灰尘和杂质残留，然后加热元件用于去除基底表面的有机物和水分，完成上述步骤后保持腔体内温度和压力稳定，最后在刻蚀步骤中去除基底表面的残留物质；涂覆阶段，在基座表面生长一层厚度可控的硅层；先在腔体内通入气体去除残留物质，完成上述步骤后保持腔体内温度和压力稳定，最后在涂覆步骤中令基座表面生成一层厚度可控的硅层；冷却阶段，确保腔体温度在25℃；先在腔体内通入气体去除残留物质，然后将基底温度降至25℃。通过优化刻蚀步骤和涂覆步骤，改善外延片金属超标的问题，从而提高外延片的质量。

本发明授权一种外延炉腔体的金属含量控制方法在权利要求书中公布了：1.一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，包括以下阶段： S100、第一阶段清洁，去除腔体内残留物质；先在腔体内通入气体去除灰尘和杂质残留，然后加热元件逐渐升高至一定温度用于去除基底表面的有机物和水分，待基底表面的有机物和水分完全蒸发后，使用刻蚀气体去除基底表面的残留物质； 所述第一阶段清洁具体包括如下步骤： S110、吹扫，使用惰性气体作为清洁气体，通过喷嘴移动清洁，确保腔体内无可见的灰尘和杂质残留，然后使用光学显微镜检查腔体内表面，确认无残留颗粒； S120、升温，通过加热元件逐渐升高温度，从室温升至1000℃，在整个过程中，应确保温度分布均匀； S130、烘烤，在温度逐渐升高至1000℃时，然后保持恒温烘烤，待基底表面的有机物和水分完全蒸发，表面呈现干燥状态时，使用检测装置检测基底表面，确认无有机物和水分残留； S140、稳定，烘烤完成后，保持外延腔体内的温度和压力稳定，使用温度和压力监测装置监测温度和压力，确保腔体内的环境条件的稳定； S150、刻蚀，使用刻蚀气体进行刻蚀，并使用显微镜检查基底表面，确认无残留物质； 其中，刻蚀，使用氯化氢气体进行刻蚀，所述刻蚀步骤的时间为36s至53s，其中，整个刻蚀过程的时间为43s，去除基座表面的残留物质，刻蚀过程中的气体流量为1000sccm，刻蚀速率为0.25μms，刻蚀温度为1000℃； S200、第二阶段涂覆，在基座表面生长一层厚度可控的硅层；先在腔体内通入气体去除表面残留物质，接着使用温度和压力检测装置监测温度和压力，确保腔体内温度和压力的稳定，然后使用反应气体进行涂覆，使基座表面生成一层厚度可控的硅层； 所述第二阶段涂覆具体包括如下步骤： S210、吹扫，使用惰性气体作为清洁气体，通过喷嘴移动清洁，确保腔体内无可见的灰尘和杂质残留，然后使用光学显微镜检查腔体内表面，确认无残留颗粒； S220、稳定，保持外延腔体内的温度和压力稳定，使用温度和压力监测装置监测温度和压力，确保腔体内的环境条件的稳定； S230、涂覆，使用反应气体进行涂覆，使基座表面生长一层厚度可控的硅层，并使用厚度测量装置测量硅层的厚度，确保其均匀性和厚度控制； 其中，所述涂覆步骤中硅层的厚度为1-2μm；所述涂覆步骤中使用的反应气体为三氯氢硅和氢气，用以在基座表面生长一层厚度可控的硅层；所述涂覆步骤中引入氩气作为载流子，所述氩气占总气体流量的10%至30%；所述涂覆步骤的时间为45s至125s，其中，整个涂覆过程的时间为60s，用于阻挡基底表面的金属污染物向外延层扩散，三氯氢硅的流量为100-500sccm，氢气的流量为1000-5000sccm，涂覆温度为1000℃； S300、第三阶段冷却，确保腔体温度在25℃；先在腔体内通入气体去除表面残留物质，然后将基底温度降至25℃； S310、吹扫，使用惰性气体作为清洁气体，通过喷嘴移动清洁，确保腔体内无可见的灰尘和杂质残留，然后使用光学显微镜检查腔体内表面，确认无残留颗粒； S320、冷却，先将基底温度降至室温，并使用温度监测装置监测温度，以流量1000sccm的氮气作为保护气氛，在5秒内将基底温度从1000℃降低，确保温度稳定至25℃。

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