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浙江创芯集成电路有限公司黄江海获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利测试结构及测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119725325B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411784879.3,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权测试结构及测试方法是由黄江海;王江红;陶然设计研发完成,并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

测试结构及测试方法在说明书摘要公布了:一种测试结构及测试方法,其中测试结构包括:测试有源区;测试栅极结构;测试共享导电插塞,测试共享导电插塞与测试栅极结构和测试有源区均电连接;测试导电插塞,测试导电插塞位于测试栅极结构上;第一测试衬垫;第二测试衬垫;第三测试衬垫;第四测试衬垫;第五测试衬垫。设置测试导电插塞模拟存储单元的真实环境,使得测试结构中的测试共享导电插塞的环境更接近真实静态随机存储器中共享导电插塞的环境,使得测试结构的测试结果更加精确的反映半导体器件的性能。

本发明授权测试结构及测试方法在权利要求书中公布了:1.一种测试结构,其特征在于,用于对半导体结构进行测试,所述半导体结构包括: 有源区,所述有源区位于衬底内; 栅极结构,所述栅极结构位于衬底上; 共享导电插塞,所述共享导电插塞位于所述有源区与所述栅极结构上,所述共享导电插塞与所述有源区电连接,且所述共享导电插塞与所述栅极结构电连接; 导电插塞,所述导电插塞位于所述栅极结构上并且所述导电插塞与所述栅极结构电连接; 所述测试结构包括: 测试有源区,所述测试有源区与所述有源区经同一工艺过程形成,所述测试有源区包括第一部、第二部和连接部,所述连接部连接所述第一部的一端和第二部的一端; 测试栅极结构,所述测试栅极结构与所述栅极结构经同一工艺过程形成,所述测试栅极结构包括第一部、第二部和连接部,所述连接部连接所述第一部的一端和第二部的一端; 测试共享导电插塞,所述测试共享导电插塞与所述共享导电插塞经同一工艺过程形成,所述测试共享导电插塞与所述测试栅极结构的连接部和所述测试有源区的连接部均电连接; 测试导电插塞,所述测试导电插塞与所述导电插塞经同一工艺过程形成,所述测试导电插塞位于所述测试栅极结构上; 第一测试衬垫,所述第一测试衬垫与所述测试有源区的第二部的另一端电连接; 第二测试衬垫,所述第二测试衬垫与所述测试栅极结构的第二部的另一端电连接; 第三测试衬垫,所述第三测试衬垫与所述测试共享导电插塞电连接; 第四测试衬垫,所述第四测试衬垫与所述测试有源区的第一部的另一端电连接; 第五测试衬垫,所述第五测试衬垫与与所述测试栅极结构的第一部的另一端电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司,其通讯地址为:311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层(自主申报);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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