武汉华中旷腾光学科技有限公司张梓桐获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华中旷腾光学科技有限公司申请的专利一种太赫兹光电芯片的半球透镜耦合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119596482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411790792.7，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种太赫兹光电芯片的半球透镜耦合方法是由张梓桐;王晨晟;郭宇飞;王天一设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太赫兹光电芯片的半球透镜耦合方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太赫兹光电芯片的半球透镜耦合方法，先将印制电路板和半球透镜进行超声清理，再将半球透镜的平面侧扣于印制电路板背面，连接处滴入紫外胶水并用紫外灯固化，将印制电路板和半球透镜固定在底座上固定，利用二维影像仪将太赫兹光电芯片的中心孔对准半球透镜的圆心放置，最后利用贴片机完成太赫兹光电芯片和半球透镜的耦合。本发明该方法可以用于发射或接收芯片的制作过程，耦合方法标准化程度高、兼容性好、可重复性好，可用于规模化生产制造。
本发明授权一种太赫兹光电芯片的半球透镜耦合方法在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹光电芯片的半球透镜耦合方法，其特征在于，步骤如下： a），在印制电路板（6）中心和边缘分别开设镂空部（3），将印制电路板（6）和半球透镜（5）依次置于丙酮、异丙醇溶液中使用超声清理，然后利用氮气枪将表面吹干； b），将印制电路板（6）正面朝下，将半球透镜（5）的平面侧扣于印制电路板（6）背面，在半球透镜（5）与印制电路板（6）的连接处滴入紫外胶水，并使用紫外灯照射使其完全固化； c），将印制电路板（6）正面朝上，半球透镜（5）的球面朝下置于底座（2）内固定，然后置于影像仪下； d），利用二维影像仪寻找位于镂空部（3）处的半球透镜（5）边缘，通过三点法确定半球透镜（5）的圆心位置，将太赫兹光电芯片（1）的中心孔对准圆心放置； e），在贴片机下将贴片头与太赫兹光电芯片（1）对准，对太赫兹光电芯片（1）施加恒定压力，同时向太赫兹光电芯片（1）与半球透镜（5）的交界处滴入紫外胶水，并使用紫外灯照射使其完全固化； f），放入热风箱进行老化处理，完成太赫兹光电芯片（1）和半球透镜（5）的耦合。
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