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龙图腾网获悉联和存储科技(江苏)有限公司申请的专利一种存储器的擦除控制方法、装置和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119889399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411812225.7，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权一种存储器的擦除控制方法、装置和存储介质是由徐明揆;黄新运;高伟设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储器的擦除控制方法、装置和存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开一种存储器的擦除控制方法、装置和存储介质，该存储器的擦除控制方法包括：根据Nandflash存储器的PE循环次数，确定当前Nandflash存储器的当前次数阶段；基于当前次数阶段，为存储单元配置对应的栅极偏置电压，栅极偏置电压与Nandflash存储器的次数阶段具有对应关系，一个次数阶段对应一组栅极偏置电压；基于当前次数阶段对应的栅极偏置电压，对当前次数阶段的PE循环进行擦除验证。本发明通过PE循环次数动态调整栅极偏置电压，可以更精确地控制擦除过程中的电压条件，动态调整栅极偏置电压可以减少对存储单元的应力，从而延缓栅氧化层的变形和破损，提高数据记忆机制的稳定性。

本发明授权一种存储器的擦除控制方法、装置和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种存储器的擦除控制方法，其特征在于，所述存储器为Nandflash存储器，所述Nandflash存储器包括多个存储单元，所述方法包括： 根据所述Nandflash存储器的PE循环次数，确定当前所述Nandflash存储器的当前次数阶段； 基于所述当前次数阶段，为所述存储单元配置对应的栅极偏置电压，所述栅极偏置电压与所述Nandflash存储器的次数阶段具有对应关系，一个所述次数阶段对应一组所述栅极偏置电压； 基于当前次数阶段对应的栅极偏置电压，对当前次数阶段的PE循环进行擦除验证； 在所述基于所述当前次数阶段，为所述存储单元配置对应的栅极偏置电压之前，所述方法还包括： 确定所述存储单元在不同状态下所对应的可变栅极偏置电压，每个状态对应一组所述可变栅极偏置电压； 为所述存储单元配置对应的所述可变栅极偏置电压，每个所述存储单元配置对应一组所述可变栅极偏置电压； 所述确定所述存储单元在不同状态下所对应的可变栅极偏置电压，包括： 确定所述存储单元在非选定状态下所对应的第一可变栅极偏置电压，所述非选定状态用于表示所述存储单元未被选定执行PE循环； 以及，确定所述存储单元在选定状态下所对应的第二可变栅极偏置电压，所述选定状态用于表示所述存储单元被选定执行PE循环； 所述为所述存储单元配置对应的所述可变栅极偏置电压，包括： 在所述存储单元处于非选定状态下，基于所述第一可变栅极偏置电压对每个擦除脉冲的通过偏置电压进行配置； 在所述存储单元处于选定状态下，基于所述第二可变栅极偏置电压对每个擦除脉冲的选择偏置电压进行配置； 所述在所述存储单元处于非选定状态下，基于所述第一可变栅极偏置电压对每个所述擦除脉冲的通过偏置电压进行配置，包括： 在所述存储单元处于非选定状态下，将所述选择偏置电压配置为0； 在所述第一可变栅极偏置电压的可变范围内，在初始通过偏置电压的基础上，随着所述擦除脉冲的数量增加，以递增的方式对每个所述擦除脉冲的通过偏置电压进行配置。

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