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龙图腾网获悉深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利一种基于Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模块及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361549B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411885253.1，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种基于Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模块及制造方法是由王晓;任真伟设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模块及制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于SiIGBT和SiCMOSFET的混合功率模块及制造方法，该混合功率模块包括：由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片组成的半桥结构，所述半桥结构的每一桥臂均由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片并联并反向并联一二极管组成；覆铜陶瓷基板，其用于搭载所述半桥结构，所述覆铜陶瓷基板连接功率端子和信号端子；散热基板，其与所述覆铜陶瓷基板贴合；封装壳体，其与所述散热基板配合对所述覆铜陶瓷基板进行密封封装，其中所述功率端子集成在所述封装壳体上。本申请可缩小SiIGBT芯片与SiCMOSFET芯片的结温差距，降低SiCMOSFET芯片的键合线和焊层因长期的高温和热应力而失效的风险，提高混合功率模块的可靠性。

本发明授权一种基于Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模块及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SiIGBT和SiCMOSFET的混合功率模块，其特征在于，包括： 由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片组成的半桥结构，所述半桥结构的每一桥臂均由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片并联并反向并联一二极管组成； 覆铜陶瓷基板，其用于搭载所述半桥结构，所述覆铜陶瓷基板连接功率端子和信号端子； 散热基板，其与所述覆铜陶瓷基板贴合；所述散热基板背离所述覆铜陶瓷基板的一侧设置有板翅结构进行散热，所述板翅结构正对所述SiCMOSFET芯片所在位置；所述板翅结构包括波浪形，散热基板背离所述覆铜陶瓷基板的一侧还设置有圆柱形针翅以进行散热，所述圆柱形针翅正对所述SiIGBT芯片所在位置； 封装壳体，其与所述散热基板配合对所述覆铜陶瓷基板进行密封封装，其中所述功率端子集成在所述封装壳体上；所述SiCMOSFET芯片与一分流电阻串联，通过检测所述分流电阻两端电压判断对应芯片的运行状态。

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