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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利三维结构Ga₂O₃异质超级结二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411953031.9，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权三维结构Ga₂O₃异质超级结二极管及其制备方法是由袁昊;杜丰羽;韩超设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维结构Ga₂O₃异质超级结二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维结构Ga2O3异质超级结二极管及其制备方法，包括：提供一衬底，在其表面依次生长p+型NiO外延层和碱土掺杂氧化硅层；对碱土掺杂氧化硅层进行开窗，形成多个间隔排列的窗口后，利用快速热退火工艺将剩余的碱土掺杂氧化硅层回流形成半球形掩膜；基于半球形掩膜对p+型NiO外延层进行刻蚀，形成多个半球形结构；在器件上表面生长n+型Ga2O3外延层，并对其中的多个子区进行离子注入，形成n+型电子传输层；对源区中半球形结构表面的n+型Ga2O3外延层进行源区电极区开窗，并在器件上表面生长场氧钝化层；去除源区内的场氧钝化层进行源区电极区开窗，在源区的上表面形成正面电极，在衬底的下表面形成背面电极。上述二极管具有优秀的电压电阻平衡能力。

本发明授权三维结构Ga₂O₃异质超级结二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维结构Ga2O3异质超级结二极管的制备方法，其特征在于，包括： 提供一n+型SiC衬底，并在所述n+型SiC衬底的表面依次生长p+型NiO外延层和碱土掺杂氧化硅层； 对所述碱土掺杂氧化硅层进行开窗，形成多个间隔排列的窗口之后，利用快速热退火工艺将剩余的所述碱土掺杂氧化硅层回流形成半球形掩膜； 利用干法刻蚀工艺及所述半球形掩膜对所述p+型NiO外延层进行刻蚀，形成多个间隔排列的半球形结构；其中，直径最大的半球形结构位于器件的过渡区，所述过渡区的两侧分别为器件的源区和终端区； 在器件上表面外延生长n+型Ga2O3外延层，并对所述n+型Ga2O3外延层的多个子区进行离子注入，形成n+型电子传输层；在垂直于n+型SiC衬底所在平面的方向上，所述子区的正投影位于源区中相邻两个半球形结构的正投影之间，或者位于源区中半球形结构的正投影与过渡区中半球形结构的正投影之间； 对位于器件源区中半球形结构表面的所述n+型Ga2O3外延层进行源区电极区开窗，并在器件上表面生长场氧钝化层、在所述n+型SiC衬底的下表面形成欧姆接触； 去除源区内的场氧钝化层进行源区电极区开窗，在器件源区的上表面形成肖特基接触并形成正面电极，在所述n+型SiC衬底的下表面形成背面电极。

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