广州华星光电半导体显示技术有限公司刘亚获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、以及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836008B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510065514.3，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制作方法、以及显示面板是由刘亚;唐甲设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制作方法、以及显示面板在说明书摘要公布了：本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、以及显示面板，阵列基板包括衬底、金属复合层、有源层、栅极绝缘层以及栅极；有源层设置于金属复合层之上，有源层包括沟道部以及位于沟道部两侧的导体部，沟道部与金属遮光部位置对应，一侧导体部形成源极，与金属走线位置对应、且电性连接，另一侧导体部包括电性连接的漏极以及第二电极部，在阵列基板的厚度方向上，第二电极部与第一电极部位置对应；栅极绝缘层设置于有源层之上，栅极设置于栅极绝缘层之上。
本发明授权阵列基板及其制作方法、以及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 金属复合层，设置于所述衬底之上，所述金属复合层包括金属走线、金属遮光部以及第一电极部； 有源层，设置于所述金属复合层之上，所述有源层包括沟道部以及位于所述沟道部两侧的导体部，所述沟道部与所述金属遮光部位置对应，一侧所述导体部形成源极，与所述金属走线位置对应、且电性连接，另一侧所述导体部包括电性连接的漏极以及第二电极部，在所述阵列基板的厚度方向上，所述第二电极部与所述第一电极部位置对应；以及， 栅极绝缘层，设置于所述沟道部之上； 栅极，设置于所述栅极绝缘层之上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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