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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种大尺寸SnSb₂Te₄单晶及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119800514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510073914.9，技术领域涉及：C30B29/52；该发明授权一种大尺寸SnSb₂Te₄单晶及其生长方法是由陈鹏;吴宏;闫艳慈;李登峰;丁光前;刘俊;胡锡奎设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大尺寸SnSb₂Te₄单晶及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种大尺寸SnSb2Te4单晶及其生长方法。本发明提供了一种改进的布里奇曼法，该方法首先在惰性气体环境中称量合适的Sn颗粒、Sb颗粒和Te颗粒，然后设置升温程序，具体的，在室温下以第1速率缓慢升至第1温度，在此温度下保温150~200min；随后，以第2速率缓慢升至第2温度；随后，以第3速率降温至第3温度，在此温度下保温60~180min；随后再将装载材料的坩埚进行步进式下降。本发明方法能够制备得到高品质、大尺寸的SnSb2Te4单晶。

本发明授权一种大尺寸SnSb₂Te₄单晶及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种制备大尺寸SnSb2Te4单晶的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S01：在惰性气体环境中称量Sn颗粒、Sb颗粒和Te颗粒，所述Sn颗粒、Sb颗粒和Te颗粒的摩尔比为1:2:4； S02：将称量好的原料装入石英坩埚中，封装所述石英坩埚，并对所述石英坩埚抽至真空； S03：将封装好的所述石英坩埚悬挂在立式炉中部，保持所述石英坩埚稳定，设置所述立式炉的温度控制程序：在室温下，以第1速率缓慢升至第1温度，在此温度下保温150~200min；随后，以第2速率缓慢升至第2温度；随后，以第3速率降温至第3温度，在此温度下保温60~180min； 其中，所述第1速率大于所述第2速率；所述第2速率大于所述第3速率； 其中，所述第1温度低于所述第2温度和所述第3温度；所述第2温度大于所述第3温度； 所述第1速率的范围为2~4℃min；所述第2速率的范围为1~2℃min；所述第3速率的范围为0.5~1℃min； 所述第1温度范围为500~700℃；所述第2温度范围为900~1100℃；所述第3温度范围为800~1000℃； S04：保持在第3温度下，将所述石英坩埚缓慢下降至所述立式炉炉膛最下端，设置下降方式为步进式下降；所述步进式下降方式为每下降一个单位距离停顿一段时间再下降； 其中，设置所述步进式下降的速率为0.5~2.5mmh；设置电机每步下降的单位距离为2~5×10-5mm；每下降一个单位距离停顿时间为6~10s；下降的总距离为100~150mm； S05：当所述石英坩埚下降到所述立式炉炉膛最下端，自然冷却至室温，得到所述大尺寸SnSb2Te4单晶。

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