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龙图腾网获悉上海唯捷创芯电子技术有限公司申请的专利ESD保护电路及方法、电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120017024B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510125182.3，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权ESD保护电路及方法、电子器件是由徐晓宇;张瑞洋设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本ESD保护电路及方法、电子器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种ESD保护电路及方法、电子器件。其中，所述ESD保护电路包括泄放电路和控制电路，且在ESD事件发生时，所述控制电路将第一电容相对的另一端接入泄放晶体管的栅极，以使所述泄放电路呈GCNMOS结构，具有响应速度快的优势；而当正常工作时，所述控制电路将第一电容相对的另一端与泄放晶体管的栅极断开，以使所述泄放电路呈GGNMOS结构，具有抗大功率信号干扰的优势。因此，在所述控制电路的作用下，所述ESD保护电路可实现这两种结构的切换，且兼具这两种结构的优势，摒弃各自的缺点。不仅可以对ESD事件作出快速响应，保护电压端口，还增强了整个电路对大功率信号的抗干扰能力，有效避免漏电流。

本发明授权ESD保护电路及方法、电子器件在权利要求书中公布了：1.一种ESD保护电路，其特征在于，包括：泄放电路和控制电路； 所述泄放电路包括泄放晶体管、第一电阻和第一电容；所述泄放晶体管的源漏极分别接地和电压端口；所述第一电阻的相对两端分别接地和所述泄放晶体管的栅极；所述第一电容的一端与所述电压端口相接，所述第一电容相对的另一端与所述控制电路相接；以及， 所述控制电路用于在ESD事件发生时，将所述第一电容相对的另一端接入所述泄放晶体管的栅极，以使所述泄放晶体管开启，并泄放静电电荷；且在正常工作时，将所述第一电容相对的另一端与所述泄放晶体管的栅极断开，以使所述泄放晶体管保持关闭； 所述泄放晶体管包括NMOS；以及，所述控制电路包括控制晶体管；且所述控制晶体管连接所述第一电容相对的另一端和所述泄放晶体管的栅极； 所述控制晶体管包括PMOS；且所述控制晶体管的源极与所述第一电容相对的另一端相接，所述控制晶体管的漏极与所述泄放晶体管的栅极相接；其中， 当ESD事件发生时，所述控制晶体管的栅极接入低电位，所述控制晶体管开启；且当正常工作时，所述控制晶体管的栅极接入高电位，所述控制晶体管保持关闭。

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