买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市大德激光技术有限公司申请的专利一种用于激光隐切SiC后分离晶粒的简易裂片装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943734B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510135481.5，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权一种用于激光隐切SiC后分离晶粒的简易裂片装置及方法是由胡琦;乐庸辉;米云;杨亚涛;帅涛设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于激光隐切SiC后分离晶粒的简易裂片装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说是一种用于激光隐切SiC后分离晶粒的简易裂片装置及方法；包括机身的上端设置有用于观测和显微放大的视觉定位机构，机身上纵向滑动设置有双劈刀对位机构，机身上设置有对单劈刀对位机构，双劈刀对位机构在单劈刀对位机构上对激光隐切后的SiC进行晶粒分离；本发明的有益效果为解决通常手掰折SiC时，作用于SiC两侧的受力点隔激光划线改质处距离时而不等，人员时而用力不均匀，导致产品不沿激光划线改质处裂开，从而造成样品崩边严重甚至破碎，极大的影响了生产良率的问题。

本发明授权一种用于激光隐切SiC后分离晶粒的简易裂片装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于激光隐切SiC后分离晶粒的简易裂片装置，其特征在于：包括机身2的上端设置有用于观测和显微放大的视觉定位机构1，机身2上纵向滑动设置有双劈刀对位机构3，机身2上设置有对单劈刀对位机构4，双劈刀对位机构3在单劈刀对位机构4上对激光隐切后的SiC进行晶粒分离； 所述的双劈刀对位机构3包括燕尾槽式位移滑台31、钣金结构件32和双劈刀结构33，燕尾槽式位移滑台31固定在机臂21上，燕尾槽式位移滑台31上纵向滑动设置有钣金结构件32，钣金结构件32通过侧齿轮杆驱动调节纵向滑动在燕尾槽式位移滑台31上，钣金结构件32的下端固定有双劈刀结构33； 所述的单劈刀对位机构4包括载物台43、支撑组件44、单劈刀结构45、支撑架46、钣金结构件47和XY轴交叉滚子导轨48，XY轴交叉滚子导轨48和支撑架46均固定在基座22上，XY轴交叉滚子导轨48内设置有X轴驱动调节装置和Y轴轴驱动调节装置；XY轴交叉滚子导轨48的上端设置有钣金结构件47，钣金结构件47上插接固定有四个支撑组件44，四个支撑组件44的上端固定有载物台43；四个支撑组件44之间间隙配合有支撑架46，支撑架46的中端固定有单劈刀结构45，单劈刀结构45的上端设置有接触端轮廓451，载物台43的上端设置有优力胶膜42，载物台43和优力胶膜42的中心设置有中空矩形区域49用于插接通过单劈刀结构45的接触端轮廓451。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市大德激光技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道龙东社区爱南路78号利好工业园10栋1楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。