中国矿业大学(北京)程洁获国家专利权
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龙图腾网获悉中国矿业大学(北京)申请的专利一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120041101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510186127.5，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液及其制备方法与应用是由程洁;刘丁未;邓久帅;张志军;高硕设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及化学机械抛光技术领域，本发明公开了一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液及其制备方法与应用，包含以下浓度组分：氧化铝磨粒0.05～0.2wt％；氧化剂0.05～0.2wt％；络合剂20～80mmolL；去离子水；所述络合剂为DTPANH45复合型络合剂；本发明制备的抛光液能有效提高钌栅化学机械抛光过程中的去除速率，同时确保抛光后的钌栅表面具有纳米级的表面粗糙度和无缺陷特性，解决由于钌的高硬度，高化学惰性导致的抛光速率低的问题，实现钌栅的高质量表面加工。
本发明授权一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液，其特征在于，包含以下浓度组分： 氧化铝磨粒0.05～0.2wt%； 氧化剂0.05～0.2wt%； 络合剂20～80mmolL； 去离子水； 所述络合剂为DTPANH45复合型络合剂，所述DTPANH45复合型络合剂结构式如下所示： ； 还包括pH调节剂，所述pH调节剂选自硝酸、氢氧化钾的一种； 所述氧化剂为过氧化氢； 所述用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液制备方法，包括下列步骤： 1）取二乙烯三胺五乙酸、氨水依次加入去离子水中混合，搅拌并同时向溶液中加入饱和的pH调节剂，直至二乙烯三胺五乙酸完全溶解且溶液pH值为碱性，得到络合剂； 2）去离子水中加入0.05～0.2wt%的氧化剂，再加入步骤1）制备的20～80mmolL络合剂，调节pH，得到抛光液； 3）进行抛光时，抛光液中加入0.05～0.2wt%的氧化铝磨粒，获得用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液。
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