广东工业大学黄光汉获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利无掩膜树状硅纳米结构阵列的加工方法及其制备的硅晶片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510303767.X，技术领域涉及：C23C28/02；该发明授权无掩膜树状硅纳米结构阵列的加工方法及其制备的硅晶片是由黄光汉;刘健涛;苗文杰;廖嘉威;刘爽;崔成强;张昱;杨冠南设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本无掩膜树状硅纳米结构阵列的加工方法及其制备的硅晶片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无掩膜树状硅纳米结构阵列的加工方法及其制备的硅晶片，加工方法包括预处理、第一次激光诱导、第二次激光诱导和电沉积，所述加工方法进行了两级激光诱导和一次电沉积；由于通过激光诱导，无需使用掩膜，避免去除掩膜的过程对硅纳米结构阵列产生破坏和污染；而且，可实现了硅晶片表面微结构的仿生图形化。采用上述方法所加工的硅晶片，由于无掩膜树状硅纳米结构阵列中形成了微通道，可沿微通道壁面进行高效的毛细传质；而且，树状硅纳米结构具有较大的比表面积，可沿微通道垂直方向进行高效蒸发传热，能够提升传热极限。
本发明授权无掩膜树状硅纳米结构阵列的加工方法及其制备的硅晶片在权利要求书中公布了：1.一种无掩膜树状硅纳米结构阵列的加工方法，其特征在于，包括以下步骤： 预处理：在硅晶片的表面沉积金属铜，使硅基材的表面形成铜层，再对硅基材的表面的铜层进行钝化处理，生成绝缘钝化膜； 第一次激光诱导：使用第一激光束在绝缘钝化膜的表面进行第一次激光诱导，除去指定区域上的绝缘钝化膜，使绝缘钝化膜脱落，并在铜层的表面形成一级针状凸起结构； 第二次激光诱导：使用第二激光束在一级针状凸起结构的表面进行第二次激光诱导，在一级针状凸起结构上形成二级丘状凸起结构，使硅基材的表面形成双级针状种子层； 电沉积：对双级针状种子层进行可控参数电沉积，使双级针状种子层沉积生长出树状微结构，得到含有无掩膜树状硅纳米结构阵列的硅晶片； 在电沉积的步骤中，进行可控参数电沉积处理时，初始电流密度和沉积时间满足ft函数： ft=Kt+b 其中，ft为电流密度，电流斜率K为0.003～0.2Acm2·s，沉积时间t为30～200s的，初始电流密度b为0.06～0.2Acm2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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