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龙图腾网获悉佑光智能半导体科技(深圳)有限公司申请的专利一种多芯片共晶加热装置及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120015670B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510474590.X，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种多芯片共晶加热装置及其使用方法是由李金龙;李德荣设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片共晶加热装置及其使用方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体封装的技术领域，尤其是涉及一种多芯片共晶加热装置及使用方法，其包括多组件协同工作的核心结构设计：设有可视共晶箱、加热模块、降温模块以及定位装置等关键部分。其中，加热模块结合脉冲供电单元实现精准控温，降温模块通过多方位吹气孔快速冷却，定位装置确保工件稳定夹持与精确调整。此外，保护气氛供给模块营造理想共晶环境，校准机构辅助高精度定位，风刀保障视觉检测清晰。本申请达到了高效可控的多芯片共晶加工目的，显著提升了生产效率与产品质量，同时优化了工艺稳定性与适应性。

本发明授权一种多芯片共晶加热装置及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片共晶加热装置，其特征在于，包括： 共晶台（1）； 可视共晶箱（2），设置于所述共晶台（1）上，所述可视共晶箱（2）上开设有第一料口（211）和第二料口（221）；所述可视共晶箱（2）侧壁上设置有排风孔组（212），所述排风孔组（212）内的排风孔在箱体（21）侧壁上呈矩形阵列分布； 加热模块（3），包括加热座（31）和连接于所述加热座（31）一侧的加热片（32），所述加热座（31）和加热片（32）均设置于所述可视共晶箱（2）内，且所述加热座（31）和加热片（32）靠近所述第一料口（211）设置，所述加热座（31）上设置有第一卡槽（311），所述加热片（32）上设置有第二卡槽（321），所述加热片（32）电信连接有脉冲供电单元； 降温模块（4），包括降温座（41）和进风管（42），所述降温座（41）沿所述加热座（31）周侧设置有多个，所述降温座（41）上设置有进风腔和与进风腔相连通的多个吹气孔（411），所述吹气孔（411）朝向所述加热座（31）设置，各个所述进风腔相互连通；各个所述进风腔均连通有所述进风管（42），所述进风管（42）一端位于所述可视共晶箱（2）外； 所述加热座（31）的两侧和后端均固定有一个所述降温座（41），三个所述降温座（41）包括两个侧边降温座和一个后端降温座；所述排风孔组（212）具体设置有两组，一个所述排风孔组（212）对应一个侧边降温座设置，且所述侧边降温座在相邻箱体（21）侧壁上的投影能够覆盖对应排风孔组（212）； 定位装置（5），设置于所述共晶台（1）上，用于夹持产品。

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