通威太阳能(成都)有限公司孙淳达获国家专利权
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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利太阳电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120112010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510562408.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳电池及其制备方法、光伏组件是由孙淳达设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，包括：硅基底，硅基底具有相背设置的受光面和背光面，硅基底的受光面上依次设置有第一复合钝化层、第一掺杂层、第一透明导电层、以及第一电极；沿硅基底至第一透明导电层的方向上，第一复合钝化层包括：第一本征硅层、第一钝化层、第二钝化层以及第三钝化层；第二钝化层和第三钝化层被配置为通过氢气和硅烷制备得到，用于制备第二钝化层的氢气和硅烷的流量比为A1，用于制备第三钝化层的氢气和硅烷的流量比为A2，A1、A2满足：5:1≤A1≤10:1，20:1≤A2≤50:1。该太阳电池既能提高载流子的传输能力，又能提高太阳电池的抗紫外效果。
本发明授权太阳电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：硅基底，所述硅基底具有相背设置的受光面和背光面，所述硅基底的所述受光面上依次设置有第一复合钝化层、第一掺杂层、第一透明导电层、以及第一电极，所述第一掺杂层为N型掺杂层； 其中，所述第一复合钝化层包括： 第一本征硅层，所述第一本征硅层设置在所述硅基底上； 第一钝化层，所述第一钝化层设于所述第一本征硅层背离所述硅基底的一面； 第二钝化层，所述第二钝化层设于所述第一钝化层背离所述第一本征硅层的一面； 第三钝化层，所述第三钝化层设于所述第二钝化层背离所述第一钝化层的一面； 所述第二钝化层、所述第三钝化层被配置为通过氢气和硅烷制备得到，用于制备所述第二钝化层的所述氢气和所述硅烷的流量比为A1，用于制备所述第三钝化层的所述氢气和所述硅烷的流量比为A2，所述A1、所述A2满足：5:1≤A1≤10:1，20:1≤A2≤50:1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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