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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510741988.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由罗成志;唐宇坤设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括第一表面、第二表面、阱区和第一区域；第一表面设有栅极沟槽和源极沟槽；第一绝缘层位于栅极沟槽的底面和侧壁；沟槽栅极位于栅极沟槽内第一绝缘层远离半导体本体的一侧；源极沟槽结构包括位于源极沟槽内的填充层；层间绝缘层覆盖沟槽栅极和源极沟槽结构，且设置有第一通孔和第二通孔；源极经过第一通孔与第一区域接触，经过第二通孔与填充层接触；漏极位于第二表面。本发明实施例可以实现源极沟槽结构侧壁无间隙，且保证填充层与源极是同一电位，提高半导体器件的可靠性。

本发明授权半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；所述半导体本体还包括阱区和第一区域，所述第一区域设置为第一导电类型且位于所述第一表面，所述阱区设置为第二导电类型且位于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第一表面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述第一表面还设置有源极沟槽，所述源极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述半导体本体还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述栅极沟槽的底面和侧壁； 沟槽栅极，位于所述栅极沟槽内所述第一绝缘层远离所述半导体本体的一侧；所述第一绝缘层用于绝缘所述半导体本体和所述沟槽栅极； 源极沟槽结构，包括填充层，所述填充层位于所述源极沟槽内； 层间绝缘层，位于所述第一表面且覆盖所述沟槽栅极和所述源极沟槽结构；所述层间绝缘层设置有第一通孔和第二通孔；所述第一通孔暴露位于所述第一表面的至少部分所述第一区域；所述第二通孔暴露部分所述填充层； 源极，位于所述层间绝缘层远离所述第一表面的一侧，经过所述第一通孔与所述第一区域接触，经过所述第二通孔与所述填充层接触，使得所述源极与所述填充层是同一电位； 漏极，位于所述第二表面。

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