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龙图腾网获悉深圳新声半导体有限公司申请的专利集成式体声波滤波器的制作方法及集成式体声波滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120377852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510865256.7，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权集成式体声波滤波器的制作方法及集成式体声波滤波器是由王友良;胡威威;冯端;邹洁;刘藤;肖树根设计研发完成，并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成式体声波滤波器的制作方法及集成式体声波滤波器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种集成式体声波滤波器的制作方法及集成式体声波滤波器，包括：制作第一衬底；在第一衬底上形成多个体声波滤波器，具体步骤包括：在第一衬底上形成至少一个混合层，其中至少一个混合层包括刻蚀有多个第一区域的第一牺牲层以及沉积于各个第一区域内的第一上电极层，并且其中第一牺牲层的厚度与多个体声波滤波器的谐振频率差值对应，第一上电极层的厚度与第一牺牲层的厚度相同；以及在至少一个混合层上沉积第二上电极层，并形成多个体声波滤波器，其中第二上电极层的厚度与多个体声波滤波器中的谐振频率最小值对应，并且至少一个混合层和第二上电极层的数量之和与多个体声波滤波器的数量对应。达到了具有不同的工作频率的技术效果。

本发明授权集成式体声波滤波器的制作方法及集成式体声波滤波器在权利要求书中公布了：1.一种集成式体声波滤波器的制作方法，其特征在于，包括： 制作第一衬底（110）； 在所述第一衬底（110）上形成多个体声波滤波器，具体步骤包括： 在所述第一衬底（110）上形成至少一个混合层（120），其中所述混合层（120）包括刻蚀有多个第一区域（1211）的第一牺牲层（121）以及沉积于各个第一区域（1211）内的第一上电极层（122），其中所述第一牺牲层（121）和所述第一上电极层（122）水平设置，并且其中所述第一牺牲层（121）的厚度与所述多个体声波滤波器的谐振频率差值对应，所述第一上电极层（122）的厚度与所述第一牺牲层（121）的厚度相同；以及 在所述至少一个混合层（120）上沉积第二上电极层（130），并形成所述多个体声波滤波器，其中所述第二上电极层（130）的厚度与所述多个体声波滤波器中的谐振频率最小值对应，并且所述至少一个混合层（120）和所述第二上电极层（130）的数量之和与所述多个体声波滤波器的数量对应。

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