西安龙飞电气技术有限公司刘少雄获国家专利权
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龙图腾网获悉西安龙飞电气技术有限公司申请的专利基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120415080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510905495.0,技术领域涉及:H02M1/00;该发明授权基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源是由刘少雄;曹琳;朱飞设计研发完成,并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源,属于开关电源技术领域,包括:双相电源主控芯片产生各相电源的控制信号;第一、第二相电源主功率半桥电路,根据双面散热MOSFET进行设计,并根据控制信号产生各相电源的输出电压;双相电源主控芯片布设于PCB板背面的中心,第一、第二相电源主功率半桥电路对称布设于PCB板两端;第一、第二相电源主功率半桥电路中构成上管电路的双面散热MOSFET布设于PCB板正面、构成下管电路的双面散热MOSFET布设于PCB板背面;第一、第二相电源主功率半桥电路中主功率电感布设于上管电路的双面散热MOSFET的上方,利用功率管上方纵向空间,不占用PCB板面积。
本发明授权基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源在权利要求书中公布了:1.一种基于双面散热MOSFET的双相高功率密度电源,其特征在于,所述双相高功率密度电源包括: 双相电源主控芯片,用于产生各相电源的控制信号; 第一相电源主功率半桥电路和第二相电源主功率半桥电路,用于根据所述控制信号产生各相电源对应的输出电压;所述第一相电源主功率半桥电路和所述第二相电源主功率半桥电路分别基于若干双面散热MOSFET功率管和一个主功率电感而设计; 其中,所述双相电源主控芯片布设于PCB板背面的中心区域,所述第一相电源主功率半桥电路和所述第二相电源主功率半桥电路对称性地布设于PCB板的两端区域;所述第一相电源主功率半桥电路包括第一上管电路、第一下管电路和第一主功率电感,所述第二相电源主功率半桥电路包括第二上管电路、第二下管电路和第二主功率电感,所述第一上管电路、所述第二上管电路、所述第一下管电路和所述第二下管电路分别基于若干双面散热MOSFET功率管而设计,且构成所述第一上管电路和所述第二上管电路的所有双面散热MOSFET功率管布设于PCB板的正面,构成所述第一下管电路和所述第二下管电路的所有双面散热MOSFET功率管布设于PCB板的背面,所述第一主功率电感布设于构成所述第一上管电路的所有双面散热MOSFET功率管的上方,所述第二主功率电感布设于构成所述第二上管电路的所有双面散热MOSFET功率管的上方,利用所述第一上管电路和所述第二上管电路上方的纵向空间,不占用PCB板的面积。
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