买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于TPMS的耐压水下低频隔声超结构及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120408902B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510906494.8，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权基于TPMS的耐压水下低频隔声超结构及其设计方法是由杨海滨;梁才琼;温激鸿;钟杰;王洋设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于TPMS的耐压水下低频隔声超结构及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明涉及水下低频隔声超结构技术领域，公开了一种基于TPMS的耐压水下低频隔声超结构及其设计方法，在Gyroid晶格元胞模型上沿声波入射方向截取并获得一个二维截面元胞，利用在声波入射方向上的模量降低而易发生形变的特点，实现低阻抗；通过拉伸改变元胞内部结构分布，使元胞具备各向异性，降低元胞在声波入射方向上的模量，进一步降低阻抗；通过引入材料主轴偏转角，激发结构内部的准纵波和准横波，并通过纵‑横波转换将水中入射的纵波在结构中转换为横波，提升隔声性能；周期阵列排布，从中截取得到二维平面下的芯层构型，结构实体化，得到隔声层；隔声层两侧覆盖盖板，得到基于TPMS的耐压水下低频隔声超结构。

本发明授权基于TPMS的耐压水下低频隔声超结构及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于TPMS的耐压水下低频隔声超结构的设计方法，其特征在于，包括以下步骤： S100、建立TPMS中的Gyroid晶格元胞模型； S200、在Gyroid晶格元胞模型上沿声波入射方向截取并获得一个二维截面元胞，利用二维截面元胞在声波入射方向上的模量降低而易发生形变的特点，以降低二维截面元胞内部的声波速度，进而实现低阻抗； S300、将二维截面元胞进行元胞拉伸设计，通过拉伸改变元胞内部结构分布，使元胞具备各向异性，降低元胞在声波入射方向上的模量，进一步降低阻抗； S400、偏转元胞材料主轴角设计，通过改变元胞的刚度分布，激发结构内部的准纵波和准横波，并通过纵-横波转换将水中入射的纵波在结构中转换为横波，提升隔声性能； S500、偏转元胞材料主轴角后的二维截面元胞进行周期阵列排布，从中截取得到二维平面下的芯层构型，通过拉伸进行结构实体化，进而得到隔声层（20）； S600、隔声层（20）两侧覆盖盖板（10），两个盖板（10）平行布设，得到基于TPMS的耐压水下低频隔声超结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学，其通讯地址为：410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。