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龙图腾网获悉中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利一种基于光场响应特性的抗反射表面设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120430125B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510935251.7，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于光场响应特性的抗反射表面设计方法是由李玉海;谢林圯;袁晓东;孙来喜;王方;郑天然设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于光场响应特性的抗反射表面设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于光场响应特性的抗反射表面设计方法，涉及光学表面处理技术领域，包括：S1、基于波动光学理论建立有限元模型；S2、通过有限元模型构建基于二维空气与基底材料的工件模型，并且按不同功能和属性将整个工件模型的几何区域划分为多个；S3、对各区域进行非线性网格划分，并在非线性网格划分过程中，对光场多次耦合的区域进行局部加密；S4、对工件模型在各个参数化下的微结构开展电磁场模拟实验，通过分析不同微结构形貌对反射率的影响，筛选出具有相对较低反射率的微结构设计。本发明提供一种基于光场响应特性的抗反射表面设计方法，分析抗反射微结构的抗反射机制，探索微结构相关参数对抗反射性能的影响。

本发明授权一种基于光场响应特性的抗反射表面设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光场响应特性的抗反射表面设计方法，其特征在于，包括： S1、基于波动光学理论建立有限元模型，所述有限元模型的参数化设计为优化微结构表面的反射率来调整微结构表面形貌； S2、通过有限元模型构建基于二维空气与基底材料的工件模型，且按不同功能和属性将整个工件模型的几何区域划分为多个部分； S3、对各区域进行非线性网格划分，并在非线性网格划分过程中，对光场多次耦合的区域进行局部加密； S4、对工件模型在各个参数化下的微结构开展电磁场模拟实验，并计算各个微结构在不同入射条件下所对应的反射率，以通过分析不同微结构形貌对反射率的影响，筛选出具有相对较低反射率的微结构设计； 其中，在S3中，所述局部加密集中于空气与基底材料交界面所在区域，且加密区域与边缘之间的网格大小差异被设计为采用逐渐过渡的方式，以使网格密度在不同区域之间实现平滑过渡； 其中，在网格划分过程中，各区域网格的最大单元大小设置为0.01μm，且最大单元增长率被限制为1.05； 各区域网格的最小单元大小为0.001μm； 各区域网格的曲率因子设置为0.2，狭窄区域分辨率设置为1。

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