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龙图腾网获悉苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请的专利一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120440833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510940528.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构是由刘青;翁国军设计研发完成，并于2025-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构。所述方法包括：提供第一衬底；形成功能层，功能层包括位于第一面的第一牺牲层、位于第一牺牲层表面的第一振膜、位于第一振膜表面的第二牺牲层、位于第二牺牲层表面的背极板和位于第二牺牲层、背极板表面的第三牺牲层；刻蚀第三牺牲层和第二牺牲层，在功能层内形成暴露出第一振膜的凹槽；在凹槽内和位于凹槽周围的部分第三牺牲层表面形成支撑结构；去除部分第二牺牲层和部分第三牺牲层，在功能层内形成暴露出部分第一振膜、背极板和支撑结构的空腔；在支撑结构远离第一衬底一侧形成第二振膜。通过上述技术特征的设置，能够提高对第二振膜支撑的稳定性和可靠性，并简化制作工艺。

本发明授权一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构在权利要求书中公布了：1.一种MEMS结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底； 在所述第一衬底的第一面形成功能层，所述功能层包括位于第一面的第一牺牲层、位于所述第一牺牲层表面的第一振膜、位于所述第一振膜表面的第二牺牲层、位于所述第二牺牲层表面的背极板以及第三牺牲层，所述背极板具有多个开口，所述第三牺牲层位于所述背极板表面，并填充所述多个开口；所述开口在垂直于所述第一面的方向上具有第一投影； 刻蚀所述第三牺牲层和所述第二牺牲层，在所述功能层内形成暴露出所述第一振膜的凹槽，所述凹槽在垂直于所述第一面的方向上具有第二投影，所述第二投影位于所述第一投影内部； 在所述凹槽内以及位于所述凹槽周围的部分第三牺牲层表面形成支撑结构；所述支撑结构包括位于所述凹槽内的第一部以及位于第一部远离第一衬底一端的第二部；所述第一部在垂直于所述第一面的方向上具有第三投影，所述第二部在垂直于所述第一面的方向上具有第四投影，所述第三投影位于所述第四投影内部；所述第二部基于对位于所述第三牺牲层表面的部分支撑层进行图形化得到； 去除部分所述第二牺牲层以及部分所述第三牺牲层，在所述功能层内形成暴露出部分第一振膜、所述背极板和所述支撑结构的空腔； 在所述支撑结构远离所述第一衬底一侧形成第二振膜。

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