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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120449796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510946845.8，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法是由毛书漫;马淑佼;姚翔宇;徐跃杭设计研发完成，并于2025-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种考虑栅电流效应的E‑mode器件非线性电流模型参数提取方法，涉及增强型器件建模技术领域。包括：建立E‑mode器件的非线性电流模型；提取晶体管寄生电阻；去除晶体管寄生电阻影响，计算非线性电流模型中本征区栅‑源和栅‑漏节点电压，得到本征的栅源电压和漏源电压；提取本征栅电流模型参数；从晶体管实测漏‑源电流中融合栅电流分量的影响得到本征部分的漏源电流分量；提取本征非线性漏‑源电流模型参数；将本征非线性漏‑源电流模型参数值代入本征非线性漏‑源电流模型方程进行验证。本发明在传统非线性电流模型参数提取方法中引入栅电流分量计算，实现本征非线性电流源参数准确提取。

本发明授权一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法，其特征在于，包括： S1、建立E-mode器件的非线性电流模型，测量晶体管多偏置静态DCIV特性、脉冲PIV特性和晶体管S参数； S2、提取晶体管寄生电阻； S3、去除晶体管寄生电阻影响，计算非线性电流模型中本征区栅-源和栅-漏节点电压，得到本征的栅源电压和漏源电压； S4、提取本征栅电流模型参数； 栅电流模型包括：栅源间正向导通电流模型和栅漏间反向击穿电流模型； 根据步骤S3得到的本征的栅源电压、漏源电压以及实测栅电流数据，提取本征栅电流模型参数，得到栅源间正向导通电流模型和栅漏间反向击穿电流模型； 其中，栅源间正向导通电流模型拟合参数，通过实测的栅源间正向导通电流-晶体管外部实测偏置电压数据，采用最小二乘法提取得到；栅漏间反向击穿模型拟合参数，通过栅漏间反向击穿电流-晶体管外部实测偏置电压数据，采用最小二乘法提取得到； S5、从晶体管实测漏-源电流中融合栅电流分量的影响，得到本征部分的漏源电流分量； S6、提取本征非线性漏-源电流模型参数； S7、提取的本征非线性漏-源电流模型参数值代入本征非线性漏-源电流模型方程，对模型进行验证。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学长三角研究院(湖州)，其通讯地址为：313001 浙江省湖州市西塞山路819号南太湖科技创新综合体B幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。