合肥晶合集成电路股份有限公司陈兴获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利MOS器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120456581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510962115.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权MOS器件及其制作方法是由陈兴设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOS器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOS器件及其制作方法，其中方法包括以下步骤：在MOS器件的硅衬底表面形成氧化硅层；在氧化硅层上依次沉积高介电常数的第一材料层和牺牲层，刻蚀牺牲层，形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构上形成低介电常数的第二材料层并刻蚀，在牺牲栅极结构两侧形成偏移侧墙结构；刻蚀偏移侧墙结构两侧硅衬底上的第一材料层，并在硅衬底上形成低掺杂漏极区域；在偏移侧墙结构外侧形成一定厚度的第三材料层，该第三材料层为低介电常数材料层；形成源漏极高掺杂区域；刻蚀牺牲栅极结构及其下方的第一材料层，形成栅极区域凹槽，并在栅极区域凹槽内形成栅极；完成MOS器件的后续工艺。本发明可增大MOS器件的导通电流，提高器件性能。
本发明授权MOS器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 在MOS器件完成浅槽隔离、沟道掺杂工艺之后，在硅衬底表面形成氧化硅层； 在氧化硅层上依次沉积第一材料层和牺牲层，刻蚀牺牲层，形成牺牲栅极结构；其中，该第一材料层为高介电常数材料层； 在牺牲栅极结构上形成第二材料层并刻蚀，在牺牲栅极结构两侧形成偏移侧墙结构，该第二材料层为低介电常数材料层； 刻蚀偏移侧墙结构两侧硅衬底上的第一材料层，并在硅衬底上形成初始的低掺杂漏极区域； 在偏移侧墙结构外侧形成一定厚度的第三材料层，该第三材料层为低介电常数材料层；刻蚀第三材料层，形成主侧墙结构，并在硅衬底上形成源漏极高掺杂区域； 刻蚀牺牲栅极结构及其下方的第一材料层，形成栅极区域凹槽，并在栅极区域凹槽内形成栅极； 完成MOS器件的后续工艺。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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