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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种用于制造跨光刻场金属互连线的金属互连掩模版结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120522968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511030620.4，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权一种用于制造跨光刻场金属互连线的金属互连掩模版结构是由葛超洋;翟培卓;李金航;彭洪;李燕妃;谢儒彬;洪根深设计研发完成，并于2025-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于制造跨光刻场金属互连线的金属互连掩模版结构在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种用于制造跨光刻场金属互连线的金属互连掩模版结构。包括：二次曝光区，所述二次曝光区分布于单块掩模版的上侧、下侧、左侧和右侧；该金属互连掩模版结构位于所述二次曝光区内，用于形成两个相邻光刻场之间的跨光刻场金属互连线；且每条所述金属互连掩模版的其中部分区域比目标金属互连线形状对应的区域大，剩余的其他部分区域的形状为目标金属互连线形状。本发明消除了二次曝光导致跨光刻场金属互连线形貌恶化和互连质量降低的问题。

本发明授权一种用于制造跨光刻场金属互连线的金属互连掩模版结构在权利要求书中公布了：1.一种用于制造跨光刻场金属互连线的金属互连掩模版结构，其特征在于，包括二次曝光区，所述二次曝光区分布于单块掩模版的上侧、下侧、左侧和右侧；该金属互连掩模版结构位于所述二次曝光区内，用于形成两个相邻光刻场之间的跨光刻场金属互连线；且每条所述金属互连掩模版的其中部分区域比目标金属互连线形状对应的区域大，剩余的其他部分区域的形状为目标金属互连线形状； 将二次曝光区跨光刻场金属互连线掩模版平移重合时，相交形状为目标金属互连线形状，并集的形状完全将目标金属互连线形状包含在内，在两次曝光过程中，每条跨光刻场金属互连线对应光刻胶位于二次曝光区中的侧边均只被曝光一次； 所述跨光刻场金属互连线位于所述二次曝光区中，具有几何形状； 位于左侧和右侧所述二次曝光区中的所述跨光刻场金属互连线，其左端边缘与所述二次曝光区的左边缘接触，其右端边缘与所述二次曝光区的右边缘接触，以用于连接左右两个相邻的光刻场； 位于上侧和下侧所述二次曝光区中的所述跨光刻场金属互连线，其上端边缘与所述二次曝光区的上边缘接触，其下端边缘与所述二次曝光区的下边缘接触，以用于连接上下两个相邻的光刻场。

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